SN74HC08DR使用出现异常
已贴片2000PCS,共500PCS单板。抽样12PCS单板上工装做功能测试,测试MOSFET驱动电压(1-VGU,1-VSU间电压和1-VGL,1-VSL间电压)全部不通过,其中10PCS单板损坏,发现都是HC08温度异常升高烧毁。不良率100%。
所有测试损坏的单板均为HC08温度异常升高烧毁,所以,首先取未上工装测试的新单板,用万用表对比测试工装验证用的正常单板的HC08的所有管脚的对地阻抗,发现本次加工的新单板HC08的3、11、6、8对地阻抗为10M欧,工装验证用的正常单板的HC08的3、11、6、8对地阻抗为20M欧。
2)查看新单板和验证用单板的HC08,发现新单板HC08为TI的物料,验证用单板HC08为Diodes的物料。
3)更换2PCS新单板的HC08为Diodes的物料,上工装测试通过,单板工作正常。
请问这个是什么情况