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[参考译文] TLV271:电源反极性漏洞

Guru**** 2365780 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV271
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1487977/tlv271-vulnerability-to-supply-reverse-polarity

器件型号:TLV271

工具与软件:

您好!

我意外地向 TLV271 (采用 SOT-23-5封装)施加了大约-8V (反极性)的电源电压、似乎未损坏。 这也不是很热。 能否认为它没有损坏、并能承受这种情况? 也许、它在电源轨上没有任何不同的低阻抗钳位二极管结构。 请提出意见。

此致、Alex

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    某些特性可能已降级。 不再提供任何保证。

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    是的,克莱门斯,即使性能可能已经下降,它似乎工作(在一个给定的应用)如预期。 我很好奇,为什么它没有只是燃烧在一秒钟,可能有几安培反向流动,但生存了大约20秒似乎完好无损...

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    您好、Alex、  

    我很好奇、为什么它没有在一秒钟内燃烧、可能有几安培反向流动、但仍能承受大约20秒似乎未损坏...

    下表列出了绝对最大值。 绝对最大额定值。 当 ABS 打开时。 最大 额定值的情况下、这称为 EIPD、它表示外部引起的潜在损坏。  但是、除非施加的电压、电流、温度和/或其他引起因素超出了 Si 芯片的设计裕度、否则潜在损坏可能不会立即发生。    设计裕度 是指内置的容差和安全因素、即使在 工艺变化、电压/电流尖峰、温度变化等情况下也能确保稳健的性能。  

    根据您的说明、我不会用于您的应用或工程。  

    此致!

    Raymond

    .