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[参考译文] TIPD164:密集组装 PCB 上的设计指南

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: INA826, ADS1248, TIPD164, INA159
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1493925/tipd164-design-guide-on-dense-populated-pcb

器件型号:TIPD164
主题中讨论的其他器件:INA826ADS1248INA159

工具与软件:

您好!

在 TIPD164的参考设计中、只有一个 ADC 通道使用 INA826和 INA159。 现在我需要使用完全相同的前置放大器设计4个通道。 不涉及 RTD。 我想知道 ADS1248的前置放大器是否有任何更紧凑的设计、在高密度电路板上的最佳布局实践是什么。

非常感谢您的答复。

李 SP

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嘿 SP、

    如果进行热电偶测量、我会建议使用 RTD 或其他温度传感器在电路板上进行绝对温度测量。 有关更多信息、请参阅以下文章。

    https://e2e.ti.com/blogs_/archives/b/thesignal/posts/thermocouples-stuff-that-every-analogue-designer-should-know

    但是、如果只做一般信号调节并且您想要仪表放大器的布局示例、数据表中提供了布局示例、并且您可以注意到一些布局注意事项:

    1. 确保连接到 RG 的布线尽可能短、因为这是对寄生电容最敏感的节点。
    2. 确保去耦电容尽可能靠近 V+和 V-放置、确保走线在连接到器件的 V+/V-之前穿过电容器的焊盘、并且去耦电容器和器件的 V+/V-引脚之间没有过孔。
      1. 如果该器件由单电源供电、则无需在 V-(GND)上使用去耦电容器、且 V+上使用单个去耦电容器就足够了。 如果在单电源模式下使用该器件、请确保为放大器输入适当的共模电压以实现线性运行
    3. 避免将 Vout 布线靠近有噪声的引线、例如开关电源或数字电路。 如果它们必须交叉或彼此靠近布置、则最好与其垂直交叉、并且最好在有噪声的迹线和敏感模拟迹线之间放置一个接地迹线/平面、以便为噪声提供耦合路径。
    4. 请确保您的 REF 引脚由低阻抗源驱动、REF 上的阻抗会破坏输出差分放大器的 CMRR、并影响器件的性能。

    如果您希望我们审阅您的布局、但不想公开发布、您也可以直接向某人发送消息、他们可以通过聊天进行评论!

    此致!
    Gerasimos

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Gerasimos:

    感谢您的意见。 但是、在 TIPD164的参考设计中、RG 处于未连接状态。 因此我们也会遵循该流程。 大致说来、我们将遵循 TIPD164中的参考设计、并添加一些 ESD 保护组件。 您是否有关于 ESD 保护(关于 PCB 布局)的建议?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、SP:

    如果使用完全相同的电路、我建议在电阻器 R16和 J9之间以及 R20和 J9之间连接 ESD 保护(尽管这是 GND 节点、因此可能不需要)。 这将确保在出现过压/ESD 时、ESD 二极管首先传导、然后传导 INA826的内部保护二极管。 下面是 TI 提供的 ESD 保护二极管的链接。 根据您的应用需求、您可以筛选参数表以查找正确的器件。 就布局而言、我认为最佳实践是将它们放置在尽可能靠近连接器的位置。

    https://www.ti.com/passive-discrete/diodes/esd-protection-diodes/products.html

    此致!
    Gerasimos