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[参考译文] THS4524EVM：IC 下的电源覆铜

admin
Guru**** 2766035 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1615872/ths4524evm-power-pours-under-ic

器件型号： THS4524EVM

 

数据表布局建议指出不应在放大器的输入/输出下使用 GND 或电源覆铜、但 IC 的其余部分呢？ 我是否应该切断 I/O 引脚下的 GND 覆铜或将整个 IC 覆铜？

数据表下一页中的布局建议图片不正确、它适用于另一个 8 引脚封装、而该 IC 具有 38 个引脚。

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    TI__Guru**** 2766035 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alejandro：

    在 I/O 引脚正下方放置切口就没有问题。 但是、它应该位于整个 I/O 节点上、而不仅仅是引脚上。 例如、高达 Rf/Rg 或 Riso 电阻器和电阻器焊盘本身的布线。 最终这可能会在 IC 周围产生很大影响、因此我们的一些 EVM 在整个 IC 周围只有一个很大的切口、尤其是对于这样具有大量引脚的器件。   

    您对 EP 版本的数据表了如指掌、感谢您发送相关信息。 我们会将这个添加到队列中进行更正。

    但是、EVM 用户指南是正确的、并且针对该器件的每个封装/通道型号具有正确的原理图和布局： https://www.ti.com/lit/ug/sbou080/sbou080.pdf

    谢谢、

    Evan