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[参考译文] TLE2064:TLE2064IDR 器件标识、PCN 和器件性能问题

Guru**** 2979400 points

Other Parts Discussed in Thread: TLE2064

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1655592/tle2064-tle2064idr-part-marking-pcn-and-part-performance-question

部件号: TLE2064

公司的产品已使用 TLE2064ID 组件十多年、目前我们的供应商可能正在使用 TLE2064IDR。 我们使用 TLE2064ID 元件作为施密特触发器/阈值比较器、具有输出钳位功能来控制 MOSFET 栅极。

今年、我们突然有 50 多个器件未能通过同样的标准测试。 此编号不包括我们供应商未测试的材料的数量。 故障已被隔离为不正确的 TLE2064IDR 输出。  具体而言、所有未通过我们标准功能测试的材料都有以下器件标识:

TI 51CKJ6K

TLE2064I

我使用以下标记(以及其他标记)检查了其他较旧的材料和组件、这并不会导致我们的功能测试失败:

TI 38C0KDT

TLE2064I

您能否向我解释一下“51CKJ6K“和“38C0KDT“描绘的所有细节? 对于我来说、了解围绕这个 TLE2064ID 组件引起的这种突然失效的根本原因非常重要

 

尽管 PCN#202311300041.1 规定“形状、拟合或功能没有变化“、但您是否认为 PCN 中对装配位置、装配工艺、芯片和晶圆所做的更改会影响输出偏移或输出级驱动漂移? 我看到两个器件之间的电压变化为 400mV、我只能看到器件标识不同、最近对 PCN 进行了重大变化、同时我们注意到性能差异。

 

提前感谢您的答复

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    “修订历史记录“(数据表的第 9 节)列出了大量更改…

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    与 TLE2064I 相对应的数据表更改如下:

    -宽带宽从 2MHz 更改为 1.1MHz

    -电源电流从 290uA/通道更改为 120uA/通道

    PCN 显示了 TLE2064I 的其他变更

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    尊敬的 Langdon:

    TLE2064 数据表中的修订历史记录有助于说明 PCN 之前和 PCN 之后材料之间的变化。

    功能故障也称为电路内测试 (ICT) 故障、可能是 运算放大器内部 ESD 结构更新所致。 由于运算放大器的拓扑结构发生了变化、因此二极管结构的固有电阻也不同。 这可能会导致系统级电路板测试中出现错误故障。 大多数二极管遵循相同的通用 IV 曲线、硅二极管的正向偏置电压约为 0.7V。 但是、所有二极管都有所不同、更新 ESD 单元可能会改变 IV 曲线特性、从而导致您看到的错误故障。

    请注意、虽然器件的二极管结构可能会发生变化、但器件在正常运行期间的功能行为没有变化。 保护结构仅在器件异常运行(例如 ESD 事件)期间触发。 更多有关运算放大器中 ESD 单元的信息、请参阅 此应用手册。

    您能否提供有关测试设置和方法的更多详细信息、以帮助确定失败的根本原因?  

    此致、
    嘉莉