Other Parts Discussed in Thread: INA3221, INA219, INA226, INA230, INA220, INA231
您好，团队，
我有一个关于INA3221的问题。
不同VIN+/VIN-电压下的准确度是多少？ 例如，当VIN+/VIN-为0~5mV，5~10mV，>10mV时。
这是否只是受到相同偏移，1-LSB步进误差和增益误差的影响？
谢谢。
约翰尼
你好，Johnny：
我假设您指的是VIN+和VIN-之间的输入差分电压。 只有当此差分输入Vin增加时，设备的精度才会提高。 您可以使用 产品文件夹页面右侧的联机错误工具 查看 不同Vin的最大RSS错误。 根据5mV的图形，您将得到一个错误1.62 %。
输入偏移(Vos)和增益误差导致的误差在Vin的可能范围内是恒定的。 某些错误源将随着Vin的变化而变化：输入偏置电流(IB)随着Vidff和VCM的增加而增加。 由于CMRR导致的VOS将随着VCM的增加而增加。 总的来说，随着Vin变小，这些错误源在Vin信号中所占的百分比会增大，因此错误会增加。
此致，
Peter Iliya
电流感应应用
Peter，
感谢您的回复。 我还有另一个问题。
低于IB+/IB-偏置电流差20uA是否会在10欧姆电阻器上产生200uV电压降？
谢谢。
约翰尼
你好，Johnny，
这是正确的，但INA3221输入偏置电流行为与我们的许多其他放大器不同 ，因为在VIN-引脚处有一个内部670kOhm电阻器，用于测量总线电压。 这就是IB-曲线增加，IB+曲线保持平坦，共模增加的原因。 因此，有两种方法可以计算IB感应的偏移(包括 10欧姆滤波电阻器)。
方法1：转至IB VC VCM和/或IB vdiff曲线
Vsense =设备在输入引脚处感应到的电压
Vsense = (Rsun*IB-)- IOS*RF； 其中IOS = IB+- IB-
Vsense = (Rsun*26uA)-(8uA - 26uA)*10Ohm =
Vsense = 26uA*分流 器+ 180uV
方法2：使用参数表中的IB值并使用670kOhm内部电阻进行计算
在本文中，我们对具有此内阻(Rin-)的INA3221和INA219产品进行了推导和解释：
Vsense =-IB+* RF +(分流+ RF)*(Vbus/Rin-+ IB-)
Vsense =-10uA*10Ohm +(rsh + 10Ohm)*(12V/670Kohms + 10uA)
Vsense =-100uV + 280uV + rsh*28uA
Vsense = 28uA*分流 器+ 180uV
在这两种情况下，您大约得到相同的-180uV偏移(由于电阻器)。 对于 +220uV的可能总偏移量，此偏移量将增加到通常为+-40uV的零件的初始偏移量(Vos)。 完整的误差分析需要包括来自CMR的偏移(共模抑制)，来自温度变化的偏移以及增益误差。
最佳，
Peter Iliya
电流感应应用
Peter，
您能否帮助您检查以下计算是否正确？
我的问题：
1. 上述计算中的EO/ A是什么？
2.对于RSS = sqrt( e_Vos^2 + e_cmr^2 + e_ge^2 + e_lrkt^2)，什么是 e_lrkt^2以及如何计算 e_ge^2？
谢谢。
约翰尼
Peter，
感谢您的回复。 另一个问题是，在下面的计算工具中是否已经考虑了对10欧姆电阻器的偏置电流影响？
谢谢。
约翰尼
