• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 4 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 458 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] 产品建议

admin
Guru**** 2513185 points
Other Parts Discussed in Thread: BUF602, DAC3151

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/598861/product-suggestion

主题中讨论的其他部件：BUF602， DAC3151， UCC2.7531万， UCC2.7538万

大家好，

客户询问，

"我正在寻找一种实验性解决方案来评估高速门驱动波形的动态自适应。 虽然不能立即更换合适的栅极驱动器(>=3A)，但我想并联缓冲器集成电路可能是一个起点。 我已经熟悉BUF602，因此我的搜索显示LMH6321MR/NOPB SO PowerPAD (DDA) BUF634T TO-220 (KC)| 5为可能的候选项。 与Lattice MachXO3，DAC3151和合适的高速运算放大器一起使用，这可能足以证明可行性。 我很乐意听取您关于零部件选择和可能的备选方案的建议。

有人能帮我解决这个问题吗？

提前感谢您的参与。

  • 0
    TI__Guru**** 2513185 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好，Kaushukeh -您有示意图吗？ 如果是，您可以通过电子邮件将其发送给我吗？ —谢谢，Jim
  • 0
    TI__Guru**** 2513185 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好Kaushuh：
    虽然可以从离散运算放大器创建高速栅极驱动，但集成解决方案更受欢迎。
    高速运算放大器可能看起来工作正常，但当测试或使用寄生剂建模时，问题将会显现出来。

    在极高的dV/dt和di/dt时，IC封装和印刷电路板的寄生电感将大大降低驱动快速转换速率的能力。
    TI的GAN登陆页面讨论了高速功率，GAN和SIC的这一问题和许多其他方面。
    www.ti.com/.../gan-overview.page

    请在TI.com上浏览此区域
    您将找到许多有用的信息。

    TI还制造MOSFET驱动器。
    www.ti.com/.../mosfet-and-igbt-gate-drivers-overview.page
    这些速度也非常快，可以满足当今的设计要求。

    如果您仍希望采用离散方法，则应量化：
    -功率级的dV/dt
    -功率级的di/dt
    -考虑的电源设备，MOSFET，GAN等
    这会导致栅极充电，打开/关闭时间，效率，必须打开/关闭电源设备的速度
    -功率级的切换频率
  • 0
    TI__Guru**** 2513185 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的沃克先生：

    感谢您的建议。 这是我对上一封电子邮件的回复。

    ***

    感谢您对此进行调查。 我已经研究过参数搜索，现在我们也在考虑使用合适的硅糖河。

     

    下面是一个快速选择的部件，这些部件可使我们利用设备并联控制电流波形。 其目的是将两个驱动程序组合成一个三状态的辅助驱动程序，并将其与主驱动程序并行连接。 因此，可以使用通态电阻或附加门电阻的组合来动态控制门电流波形，使其处于控制路径的累积抖动范围内。

     

    UCC2.7531万 - 2.5 A，5 A，35-VMAX VDD FET和IGBT单栅极驱动器

    http://www.ti.com/lit/gpn/ucc2.7531万

    UCC2.7531万DBV IN1，EN

    UCC2.7538万DBV IN1，IN2

     

    IXD609 9A µs驱动器的双脉冲测试正在进行中，因此我目前无法引用相关规格，但50kV/m ²区域的dv/dt是可以预料到的。

     

    很遗憾，我现在无法登录/注册，因为页面返回服务器错误。 周末愉快！

     

    此致，

    Helge B. Wurst

     

     

    PS。 在另一种设计中，我们应该使用AMC1304 sigma delta调制器，用于在隔离端监控运行状况。 µs，我们似乎会遇到一些问题，因为该设备的额定电压仅为10kV/2 μ A共模瞬变电流。 在超过该值的瞬变情况下，尤其是时钟由外部提供时，该设备的性能如何？ 当然，我们可以抑制瞬变周围的比特流，但闩锁或故障模式会产生反效果。 我在e2e论坛上看到了一些关于ISO76xx和ISO72xx DV/dt问题的帖子，它们的额定电压为50-75kV/µs μ s。

    非常感谢您的帮助。

  • 0
    TI__Guru**** 2513185 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好，Helge，

    UCC2.7531万和UCC2.7538万提供VDD操作范围，适用于驱动容量高达35V的SiC设备，因此这些设备是这方面的一个不错选择。 我建议使用驱动器和封装组合，它具有单独的高侧和低侧引脚(Oouth和OUTL)，以便在每个驱动器的源电流和汇电流方面提供更大的灵活性。
    但是，不能三态显示驱动程序的输出。 在您将错开并行驱动器阶段的时间段内，驱动器要么是源电流，要么是电流阱电流。