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器件型号：LMH6554 主题中讨论的其他器件： LMH6703、 LMH32401、 OPA855、 BUF802、 LMH6654
您好！
我正在研究小硅光电倍增器产生的快速脉冲的求和电路。 我在这里特别提到 OnSemi (购买了 SensL 的人)提供的具有快速输出端子的器件。 根据几个不同的因素、脉冲的上升时间在200PS-300PS 范围内。
该电路具有5个 LMH6554的-ve 输入端输入端；我曾在总和信号中遇到一些伪影、我最终 确定这些伪影是由于我在+ve 输入端具有匹配网络- 事实证明、它并不是真正匹配的-因此我只需将输入接地并断开 V-输出的反馈。 除了输出上的一些偏移之外、一切看起来都正常。
因此、有一些问题：
- 将输入接地对器件是否有任何实际损害？
- 此器件的输入是否在内部对称？也就是说、我是否可以同样轻松地在+ve 输入端和-ve 接地端求和？ 我提出这一问题的主要原因是布局过程中可能具有的优势。
- 虽然 我可以使用 Vcom 终端来纠正我缺少匹配的情况、但 SiPM 的下降沿实际上会过"零"-至少与我的 SiPM 仿真模型是一样的。 如果我想偏移信号以处理交叉、我将不得不在输入端引入偏移。
您认为最好将其引入求和节点中、还是在+ve 输入端实际添加匹配电阻器到接地端并将其注入到那里？ 在本例中、我认为匹配电阻器的电阻值约为25欧姆。 - 当然、我可以使用非差分放大器、但在我之前尝试使用其他器件的仿真中、我失去了上升时间。 也就是说、使用 LMH6703等器件时、求和后的上升时间接近1ns (尽管为了准确、实际上是由于求和反转而导致的下降时间)。 您能想到其他任何可能会实现该功能的非差分放大器吗？ 我一直关注电流反馈放大器、因此我不确定是否有其他采用新(对我而言)技术的器件同样适合求和放大器。
谢谢
英里
