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器件型号:TLV3201 您好!
我们可能会在+输入端获得负电压。 根据我的仿真模型:在安装了二极管的内部保护电路中、压降超过0.3V、会导致输出切换。
然后、当我插入肖特基二极管时、无法再看到该效应。
我不清楚内部保护电路是什么样的。
保护电路是否集成在内部? 或者是否需要添加该保护电路?
非常感谢您的支持!
此致、Xaver
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您好!
我们可能会在+输入端获得负电压。 根据我的仿真模型:在安装了二极管的内部保护电路中、压降超过0.3V、会导致输出切换。
然后、当我插入肖特基二极管时、无法再看到该效应。
我不清楚内部保护电路是什么样的。
保护电路是否集成在内部? 或者是否需要添加该保护电路?
非常感谢您的支持!
此致、Xaver
Xaver
感谢您的联系。 我看到你的困惑点;很抱歉。 比较器内部有 ESD 二极管(一个连接到 VCC、另一个连接到 GND)、但它们不是肖特基二极管。 如果应用将会发生常规事件、使输入低于接地值超过0.5V、则建议使用外部肖特基二极管。 显示的电阻器用于限制流经二极管的电流、进而限制输入在二极管曲线上可以行进的距离。
另一个需要说明的问题是、使用外部电阻器限制电流将有助于避免损坏器件。 将电压限制在0.5V 以下还有助于防止比较器输出端出现不正确的逻辑状态(我们称之为相位反转)。 因此、如果应用能够在存在较大负电压时承受可能不正确的输出状态、则可以使用1k 至10k 范围内的电阻器来限制电流。 否则、首选解决方案是将外部肖特基二极管与限流电阻器相结合。
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