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[参考译文] THS4131:器件变热

Guru**** 688030 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1131527/ths4131-device-getting-hot

器件型号:THS4131

大家好、

您能帮助诊断以下客户问题吗?

客户正在使用数据表中的原理图测试器件(请参阅下文)。  

在此测试中、客户将两个输入端接地、而不是具有源极电压(在不同的测试中连接了10V 直流电源、导致封装温度为113C)、所有电阻器均使用10k 值、 Vocm 引脚通过 0.1uF 电容器接地。 Vcc+的值为+15V、Vcc-的值为-15V。 此测试的结果是封装温度为85C、考虑到器件处于空闲状态、该温度似乎很高。

是否可以确认此 行为 是否符合预期?

谢谢你。

此致、

Marvin

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您需要回答这个问题的两个部分是所用安装的内部功率耗散和热阻抗。 回答这些问题、您将会取得很大进展。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Marvin、

    运算放大器必须耗散30V x 14mA = 0.42W。 SOIC 封装的126°C/W 结至环境热阻给出了25°C 环境温度下78°C 的裸片温度。

    您是否考虑过在电源板上使用 DGN 封装?

    Kai