[参考译文] TLV4041：可锁存比较器

Rohit  

感谢您发帖。 您能更详细地阐述一下具体需要什么吗？ 您提到过电流应用、这意味着您希望比较器输出在检测到事件后保持在逻辑高电平或低电平状态吗？ 输出 l 锁存为高电平还是低电平是否重要、或者应用是否灵活？ 此外、如何清除锁存条件？ 系统是否循环通电或 MCU 等外部器件是否清除了锁存条件？

卡盘

我需要的是将基于 MOSFET 的72V/45AH 电池组中的短路检测为电源开关(BMS)。

因此，假设一个1Mohm 的分流器在低侧与一个电池组串联，现在假设一个比较器在分流器上与 V+端子连接，其引脚基准电压为100mV，而在分流-ve 端的比较器的 V-引脚基准电压为100mV。

在这里、当分流器的-ve 端出现超过100mV 的压降时、V-将> V+、比较器输出将从高电平切换为低电平。 在这里、当输出从高电平状态变为低电平时、需要锁存相同的状态、直到控制器不锁存。 在这里、您可以根据自己的喜好提出任何逻辑。

我希望用于从导通状态关闭 MOSFET 的相同信号。 这种切换速度比 AFE 更快、操作时间为300微秒。

由于300微秒持续时间太高、因此 Mosfets无法 维持。

因此、我们来看看比较器在1 - 10微秒内的响应。 短路事件期间的电流。

Rohit

我确定这需要一些改进、但这正是我的想法(请参阅随附的 TINA 文件)。

通过使用大量迟滞、我可以创建一个锁存比较器输出、即使电流降至0也是如此。

我使用了2m Ω 分流器、因为 TLV4041R2具有0.2V 基准电压。  因此、当电流达到大约105A 时、比较器输出将锁存为高电平。

不确定是否是您所想的、但我们可以相应地调节分流电流和短路电流。

NMOS 开关(我刚刚使用了库中的随机 NMOS)是我们如何使用 MCU 清除锁存器。  当 NMOS 驱动为低电平(GND)时、该电路按预期工作、并在达到短路电流电平时锁存。  当 NMOS 驱动为高电平、将比较器输入拉为低电平时、锁存效应被清除。

Chucke2e.ti.com/.../TLV4041R2_5F00_OC_5F00_latch.TSC

是的、您了解并实施的内容是正确的。  

您能否分享一下、 一旦 v+检测到大于0.2伏@ V-、OAM OUT 更改的响应时间将是多少？  

另外，当我将光电耦合器放在实际电路中时，是否有任何噪声影响？ 因为一旦我遇到它。  

此外、该光电反相终端的 Vref 为0.2伏、您能建议任何非反相终端为 Vref 的光电二极管吗？

这将有助于我处理更少的电路、否则我需要在反相运算输出后转换非短路情形。 它将添加一个逆变器。  

谢谢