[参考译文] INA381：48V 共模输入

Steven、

感谢您选择 TI！ 您绝对正确的做法是、您可以使用 SBOA198中提供的拓扑将 INA381的 VCM 扩展到26V 最大值以上、但这确实会带来一些挑战。 正如您所说、放置在感测线路上的电阻器将在器件上表现出增益误差、因为增益是通过内部电阻确定的、而该电阻与内部电阻器串联、从而从根本上改变了该增益。 我们在数据表的第24页发布了一个公式、允许您根据您选择放置在感测线路路径中的电阻大小来计算将生成的增益误差。 缓解这种情况的一种方法(尽管它本身在大规模生产领域面临挑战)是、一旦放置了电阻器、即可在器件上执行两点校准、从而将器件校准为由内部和外部电阻器形成的"新"增益。  

大家好、感谢您的再次光临。  

您是否能够确认内部电阻器。 我猜 A3上的值是5k 和500k。 您知道差分阻抗吗？ 是1250//5000吗？

我想我可以使用2k 和1k 的分频器连接到 GND。 假设这会给我带来较大的增益误差、但一旦通过测试确认、就可以计算出新值。 这就是为什么我认为 A3是一个不错的选择。  

我只需要48V 线路上大约1A 的电流范围、并希望比较器具有过流限制、使用 P-FET 关断负载。  

Steven、

你是对的。 表4显示了 RINT 值为5kΩ Ω、为了建立正确的增益、相应的反馈电阻器应为500kΩ Ω。 关于差分输入阻抗、我将联系我们的设计团队、看看  我们可以分享哪些内容。  

但这种方法经常出现的一个问题 是、对于我们的工艺、这些电阻器彼此进行激光修整、而不是绝对值。 这意味着、从器件到器件、虽然以上述值为中心、但实际电阻可能会波动高达该值的+/-20%。 这就是通常建议对方法等进行校准的原因。  

大家好、我还假设这将对我希望用作过流切断的比较器输出产生很大影响。 如果值与某个值不准确、则每个值都有不同的跳闸点。  

我可以通过校准在软件中校正电流读数、但不能为比较器设置点。 嗯、这需要重新评估

Steven、  

我同意，当设计需要扩展时，内部波动使得这种设计很难实施。  

您能否分享您在这里使用的电流电平、以及应用是什么？ 我可以在这里推荐一些其他选项、但想了解一下您在这里关注的问题。  

大家好、我尝试在48V 线路上测量0.05 (0.1)至1A 之间的电流、主要将其用作锁存过流。 说实话、我最大的要求是成本和可用性。 在未来几年、我将需要大约50万个芯片。  

目前、我将限值设置为大约1.5A、+-20%应该可以。

最好确认差分输入阻抗、如果容差确实是实际值的20%或希望更严格的话。   

我现在看使用 A4、因为它目前实际上在库存中、增益误差约为70%、但使用50MR 分流器时、误差仍然可以很好地缩放。  

INA200具有共模范围、但价格大约是原产品的7倍、而且实际上没有现货、因此完全排除了这种情况。