Other Parts Discussed in Thread: BUF634A, INA1620
主题中讨论的其他器件:BUF634A、
我在数据表第9页看到、如果输出振幅超过1Vrms、这个芯片的性能会受到影响。 要将某些航空耳机驱动到必要的高输出电平(它们将耳塞粘在耳朵中)、我需要更高的 Vpp。 当两个芯片按照音响发烧友的建议并联时会发生什么情况? 这是否允许在较低失真下具有更高的 Vpp、或在较低 Vpp 下仅允许具有更高的电流? BUF634A 还显示了10Vpp 以上的这种行为。
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Other Parts Discussed in Thread: BUF634A, INA1620
我在数据表第9页看到、如果输出振幅超过1Vrms、这个芯片的性能会受到影响。 要将某些航空耳机驱动到必要的高输出电平(它们将耳塞粘在耳朵中)、我需要更高的 Vpp。 当两个芯片按照音响发烧友的建议并联时会发生什么情况? 这是否允许在较低失真下具有更高的 Vpp、或在较低 Vpp 下仅允许具有更高的电流? BUF634A 还显示了10Vpp 以上的这种行为。
Barry、
配置并联解决方案只允许更多的输出电流驱动、这样器件就不会提前限制电流并在早期产生失真。 这使得 INA1620等器件能够驱动非常重的负载。 我已使用3欧姆电阻测试了以下电路。 无论单个还是并联、电压输出摆幅都将保持不变、但您可以使用并联解决方案为耳机提供更大的功率。

下面显示了采用单路和并行配置的 THD+N。 您可以使用并联解决方案获得明显更多的输出功率驱动、同时保持 THD+N


此致、
Chris Featherstone