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[参考译文] INA1620:THD 与 Vpp 和并行#39;d 芯片选项

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: BUF634A, INA1620
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1136847/ina1620-thd-vs-vpp-and-parallel-d-chip-option

器件型号:INA1620
主题中讨论的其他器件:BUF634A

我在数据表第9页看到、如果输出振幅超过1Vrms、这个芯片的性能会受到影响。  要将某些航空耳机驱动到必要的高输出电平(它们将耳塞粘在耳朵中)、我需要更高的 Vpp。  当两个芯片按照音响发烧友的建议并联时会发生什么情况?  这是否允许在较低失真下具有更高的 Vpp、或在较低 Vpp 下仅允许具有更高的电流?  BUF634A 还显示了10Vpp 以上的这种行为。

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    Barry、  

    配置并联解决方案只允许更多的输出电流驱动、这样器件就不会提前限制电流并在早期产生失真。 这使得 INA1620等器件能够驱动非常重的负载。 我已使用3欧姆电阻测试了以下电路。 无论单个还是并联、电压输出摆幅都将保持不变、但您可以使用并联解决方案为耳机提供更大的功率。  

    https://www.ti.com/lit/an/sboa352/sboa352.pdf?ts=1663951335026&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FINA1620

    下面显示了采用单路和并行配置的 THD+N。 您可以使用并联解决方案获得明显更多的输出功率驱动、同时保持 THD+N  

    此致、  

    Chris Featherstone