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您好、Baolin、
我们还没有在这里讨论过这一点吗?
Kai




e2e.ti.com/.../5822.baolin_5F00_opa847.TSC
Kai
e2e.ti.com/.../5822.baolin_5F00_opa847_5F00_modify1.TSC
更改 r 的值,取下电容器,tr 图像看起来是正确的。
奇怪的是、实际电路为什么与 Tina 的仿真结果不匹配?
您好、Sima、
您可以在此线程中获取部分 PCB 布局:
Baolin
您好、Baolin、
很抱歉、我告诉您您的布局不是最佳的。
当您开始绘制布局时、首先直接放置去耦电容器(!) 运算放大器。 它们是此类电路中最重要的组件。 遗憾的是、在您的布局中、它们离 OPAMP 太远。
当多个运算放大器由相同的电源电压供电时、在电源线路中使用 π 型滤波器。 除非您的布局完美(->实心接地层)、否则简单去耦电容器不会起作用。
绘制一个实心接地层、但将间隙引入到实心接地层中、OPAMP 的反馈元件位于该平面上方。
将任何铜线迹长度减小到绝对最小值。 每一毫米都很重要! 相信我、这不是笑话。 根据经验、每条毫米铜迹线都会导出1nH 的电感、从而完全破坏3.9GHz OPAMP 电路的性能。 10mm 铜轨等于10nH、阻抗为245R 加上疯狂的相移。
查看此示例布局并将其与布局进行比较:
Kai