[参考译文] THS4303：数据表中的错误、S 参数表？

您好 Mete、

我正在查看第7页的 S21 (Ang)；如果我们有另一份文件要参考或证明更准确的值、我将向您提供更新。   

最棒的

阿尔茨

谢谢 Alec。 再提出一个请求。 Ω 还说 S 参数是"(在50 μ s 测试系统中使用标准 THS4303EVM、边沿编号6454762、VS = 5V 进行测量)"。 但我想只有测量运算放大器、因此必须进行某种校正、延迟/端口扩展等 是否可以澄清这一点、如果是这样、是否可以给出电路板造成的大约延迟、因此我也可以在测量中将这一点弄清楚。

此致、

金属

您好、Mete、

感谢您的跟进！  我还将研究任何电路板延迟、并澄清一些测量决策。  我很快会回来的。

最棒的

阿尔茨

您好、Alec、

感谢您的更新。

我的意思是、如果您可以分享有关 s 参数测量方式的更多信息、那么延迟实际上就是这样。 例如、它说它们是使用标准 THS4303EVM 进行测量的、但在这种情况下、我猜 S21 (dB)不能为20dB、因为串联电阻器匹配50 Ω 线路、所以我猜会应用一些校正。 其他值也是如此、 由于 EVM 板上没有校准点、我想会执行其他校正、例如端口扩展/电气延迟。 这并不重要、我只是想知道我是否可以测量相同的值。

此致、

金属

您好、Mete、

我现在更好地理解您的问题。  在描述器件特征时、我可以向我的团队询问我们的典型方法、以防有充分的解释。  感谢您帮助我了解您提出的问题。

如果我得到有意义的答案、我将在这里附加它。

最棒的
阿尔茨

您好、Mete、

只是这里的最后更新：当我们使用 EVM 和其他测试板在实验室中进行测量时、我们会尽力正确校准器件、以便仅测量待测试的器件(DUT)。  这将尽可能减少 IC 未引入的影响、并使我们能够放心地在数据表中显示测量值。

我们可能采取的一些步骤包括使用空白 EVM 尝试描述其在没有 IC 的情况下的性能、了解其影响如何可以增加/更改 IC 性能。

对于计算和设计、您使用的数据代表 IC 的执行方式；所采取的各种校准和测量步骤可提供清晰的信息和知识。

我希望这有助于您了解我们为解决电路板行为和测量过程中的各种延迟而采取的措施。   

最棒的

阿尔茨

您好、Alec、

我还想您 正在使用您所说的空白 EVM。 非常感谢您对此进行了澄清。

此致、

金属

您好、Mete、

当然，我很高兴我们能够进行良好的讨论和澄清问题。

最棒的

阿尔茨