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[参考译文] LMV762:等效输入结构?

Guru**** 1178510 points
Other Parts Discussed in Thread: LMV762, LMV751
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/883570/lmv762-equivalent-input-structure

器件型号:LMV762
主题中讨论的其他器件: LMV751

大家好、

我的客户想知道 LMV762的"等效输入结构"。 您可以分享一下吗?

此致、

Kotaro Yamashita

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    Kotaro、您好、

    输入是基于 LMV751低噪声运算放大器的共源共栅 P 通道 CMOS 输入级。 任何进一步的详细信息都被视为专有信息。

    偏置电流位于 PA 中。 偏置电流主要由 ESD 二极管泄漏(从输入引脚到每个电源的传统 ESD 二极管保护)决定、因此偏置电流将每10°C 增加一倍

    您知道他们想要确定什么吗?

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    尊敬的 Paul:

    客户希望了解用于保护的输入结构。 因此、ESD 信息可能有助于解决他们的问题。  

    您能否在评论中准备 ESD 结构的图像?

    此致、

    Kotaro Yamashita  

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    Kotaro、您好、

    ESD 保护是从每个输入引脚到每个电源的标准"二极管"保护。 这对于 CMOS 设计很常见。

    虽然 ESD "二极管"比简单的二极管更复杂、但对于客户而言、它们看起来和作用都像二极管、可以视为低泄漏二极管。

    如果超过输入范围、则应使用外部钳位、因为 ESD 单元不是为实现连续运行而设计的。 电流应限制为绝对最大值(通常为10mA)或更低。