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[参考译文] XTR111:低负载调节问题

Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: XTR111

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/873556/xtr111-problem-with-low-load-regulation

器件型号:XTR111

我们实施了一个具有12.7V VSP (100N 去耦)、REGF 短接到寄存器、直接在 IS/VG 上连接 MOSFET、VIN 由运算放大器驱动、摆幅为0->0.6V、Rset = 330ohm (应对应于0-20mA)的 XTR111。 S1G 二极管在漏极和输出之间以导通方向连接、以防止反向连接。 编辑:OD 被拉至接地、/EF 悬空。 GND 和焊盘接地。


当连接到100欧姆负载、一直到500欧姆负载时、这种方法效果非常好、正如预期的那样-使用与负载电阻器串联的万用表进行测量。 但是、对于从~100欧姆到万用表中负载电阻器的负载电阻器、我们会在电流环路上得到误差。 编辑2:阐明;在万用表 上测量电流输入。  

在100欧姆及以上时测量为4mA、在100欧姆以下时得出~3.7mA
在100欧姆及以上时测量为17.5mA、在低于100欧姆时提供18.6mA

这里可能会有什么问题?  

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    Daniel、您好!

    20mA 的正确 Rset 应为300R、而不是330R。

    强烈建议使用下图所示的输出电路:

    这不仅可以保护 MOSFET、还可以确保任意负载下的稳定性!

    Kai

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    谢谢 Kai!

    Daniel、您好!

    同意 Kai 的意见。 如果遇到任何问题、请遵循他的建议并回复。

    Tamara

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    您好、Kai、感谢您的输入。
    我知道输出电路、 如果我必须实施、我当然会实施这一点、但实际上、我之前的一家雇主已经在一个非常成熟的设计中使用了当前设计、该设计在工业市场上销售了成千上万个单元、没有 Q2和2 15欧姆电阻器。 我知道它是有效的、我只需要看看我错过了什么。 我可以想到的主要区别是我选择的 MOSFET。
    除了 VGS、Cgate 和功率耗散能力之外、是否还有任何其他关键的 MOSFET 参数应该在这里考虑?  


    对于低负载,由于我们现在有问题,在电阻器上将没有电压降,Q2将始终处于关闭状态。 您还建议此电路如何改变 输出的稳定性?
    我不会观察到该电流限制器应保护的范围内的过大电流-~33mA (参考数据表)

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    Daniel、您好!

    较低的15R 电阻器和10nF 对于稳定性尤为重要。 您能否在设计中至少添加这些组件?

    Kai

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    谢谢。 我会尝试一下,(尽管它实际上并未包含在先前的设计中。  )

    我还将尝试替换我选择的 P-FET -在 PD 中、这有点微不足道。 我将保持该线程的更新。

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    15R 和10nF 没有区别、P-FET 的替换也没有。

    不过、解决该问题的方法是移除我们的泄漏路径、就像 在该支持请求中一样。

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    Daniel、您好!

    感谢您的反馈。

    您能否详细介绍您的漏电路径、以便我们更好地帮助他人?

    Kai