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[参考译文] INA219:过压保护(汽车应用)

Guru**** 2943350 points

Other Parts Discussed in Thread: INA219, INA293-Q1, INA290-Q1, INA229-Q1, INA229, INA186-Q1, INA186, INA190-Q1, INA190, INA181, INA180, INA181-Q1, INA180-Q1, TINA-TI

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/908035/ina219-over-voltage-protection-automotive-application

主题中讨论的其他器件:INA219INA293-Q1INA290-Q1INA229-Q1INA229INA186-Q1INA186INA190-Q1INA190INA181INA180INA181-Q1INA180-Q1TINA-TI

大家好、我正在从事与汽车相关的项目、在该项目中、我将使用 INA219 IC 来测量电流。  

它仅适用于所有直流电、测量速度非常慢。 可能每隔250ms。 IM 使用以下设置:

1) 1)直接耦合到12V 电池的外部分流器。 使用75mV 分流器测量高达200A 的电流(80mV 模式)
2) 2)仅在另一个电池上测量电压。 VIN+和 VIN-直接相连
3) 0、75m Ω SMD 分流器、测量电流高达50A、直接连接到12V 汽车系统(40mV 模式)
4) 1、5m Ω SMD 分流器、测量高达20A、直接连接到12V 汽车系统、但带保险丝(40mV 模式)

我已经做了很多工作来保护我的电子产品免受汽车中常见的浪涌的影响。 常见浪涌可能是60V、持续时间仅为几 ms、但也可能是200V 的负载突降、持续400ms。  

为了保护 INA219的 Vin+和 Vin-、我该怎么做? 数据表中建议使用串联电阻器和齐纳器件、但未描述在不影响输出的情况下可能实现的功能。

如上所述、我将使用非常小的信号(0-40mV)来保持分流器中的功耗较低。 我使用开尔文导线、并尽可能缩短导线、以将噪声降至最低。 即使对于50A 分流器、我也需要精确的测量来取低至100mA 的电流。

分流器和 Vin-/Vin+引脚之间的100欧姆电阻器加上连接 GND 的24V TVS 二极管是否有效、或者这肯定会影响输出的精度?  

希望大家能帮忙!

BTW、我不希望更改为另一个 IC。 我喜欢 INA219的 I2C 输出、出色的库和低成本。  
 

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    您好、Bragbe、

    欢迎来到论坛、感谢您提出问题。 简而言之、没有任何不影响 INA219精度的解决方案。 将输入电阻器与 INA219一起使用将与内部 ADC 交互并影响采样采集稳定时间。 但是、对精度的影响程度未知。 通过在 INA219的输入引脚之间和附近放置一个足够的输入差分电容器、可以减小稳定误差。 另一种缓解措施是延长转换时间并尽可能求平均值。

    使用100 Ω 输入电阻器肯定会影响精度、但不会严重影响器件运行。 需要通过基准测量来确定精度下降的程度。

    如果在您的系统中、您可以为每个具有大输入电阻器的器件执行失调电压和增益误差校准过程、则可以减小这些误差。 通过校准程序、我指的是对系统中的已知电流电平进行测量、并将 INA219测量值记录到存储器中、以便在校正所有后续读数时使用。 偏移 CAL 只需进行一次测量、通常在0A、12V 总线上。 增益 CAL 需要进行两次测量、并根据两个数据点的斜率计算器件增益误差。

    以下是有关我们的电流感应放大器器件浪涌保护的应用手册。 这至少可以让您了解需要多少保护。 http://www.ti.com/lit/ug/tidu473/tidu473.pdf?ts=1590601081123

    我的一般建议是:

    1. 可能会进一步降低钳位二极管的反向击穿电压、可能会降低18V 以获得更好的裕度。
    2. Ω 和不使用输入100k Ω 电阻器以及输入电容器进行几次测量。 电容器没有上限、因此您可以选择0.1uF 或1uF 等大电容器。
    3. 如果误差过高、请考虑校准程序。 考虑到您感应的分流电压过低、可能仍需要进行失调电压校准。
    4. 我知道您不想使用其他设备,但我还应该提到另外几个选项:    
      1. 使用电压输出 CSA (例如 INA293-Q1、INA290-Q1)并将该测量结果馈入低成本、低电压12位 ADC。
      2. 使用电压额定值更大的数字 CSA、例如最近发布的 INA229-Q1 (85V 可承受 VCM)。

    请将您可能遇到的任何其他问题发送回您的邮递。

    此致、

    Peter

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    您好、Bragbe、

    您可能对此感兴趣:

    e2e.ti.com/.../snva681a.pdf

    Kai

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    谢谢 Peter、

    测试确实是了解它是否起作用的唯一方法。 但是、对我来说、实际测试将非常复杂。 我没有用于模拟负载突降或其他瞬态的电源。 测量高电流和极低的分流电压也具有挑战性。 此时、我计划为我自己、朋友和其他测试人员制作5件此项目。 根据人们的接收方式、我可能会将其转变为需要进一步测试的商业产品。  

    为了回答您的一些问题、我目前以4个样本模式运行原型。 8采样模式可能是可以接受的、但对于计划使用的 INA219的6个器件、可能需要很长时间。  

    我之所以谈论100欧姆电阻器、是因为它将大幅降低200V 负载突降的浪涌电流。 在此类尖峰期间、10欧姆电阻器的功耗将为3000W。 100欧姆电阻器的峰值仅为300W。 两个尖峰都将熔断每个 SMD 电阻器、但其 IF 当然是更糟糕的情况。 我希望实际瞬变的影响要小得多、因此一个默认的1205电阻器范可处理短路峰值。  

    为了更清楚地了解精度、我需要:对于50A SMD 分流器、我不介意5%的误差。 甚至10%也是可以接受的。 但是、我需要能够看到0和100mA 之间的差异。 50mA 甚至更好。 这些非常小的值是我最担心的、因为它们将处于 UV 范围内。

    不推荐进行校准。 可以接受一次性校准偏移、但增益将很困难。

    您能否向像我这样的新手解释这些电阻器将如何影响精度? 我认为 Vin-和 Vin+的阻抗非常高、因此100欧姆是一个相对较低的值、可能会影响比1%低得多的增益值。 或者、这是由 INA 的"内部电容器"引起的、该电容器需要电流来填充、并且受到电阻器的限制? 这就是为什么需要电容器的原因吗? 正如我说过的、我根本不关心速度。 如果电流从1A 跃升至20A、并且注册最多需要一秒钟、这是可以接受的。  

    您是否可能知道 INA219的 SPICE 模型是否足够详细、足以模拟不同电阻器和电容的影响?

    感谢您提供该应用手册的链接! 我已经找到并研究了它、它非常有趣、但它对电路产生的实际误差没有太多的评价。 此外、在没有200V (峰值)/400ms 瞬态(汽车负载突降)测试的情况下、通过查看原理图、我非常怀疑其中的任何一个都能承受这样的尖峰。

    我的另一个问题是 TVS 二极管的影响。 我担心夜间会有小电流泄漏、这对测量电压与实际分流电压有很大影响。 添加对 TVS 的工作至关重要的电阻器可能会使情况更糟。

    我喜欢您的一般建议、并将对其中的大多数建议采取后续行动。 为什么您建议使用击穿电压较低的 TVS? 我发现钳位电压为25V 时、最小击穿电压低至16-17V。 它适合我需要它们工作的范围。

    我不喜欢没有内部 ADC 的其他 INA。 我需要测量5个电流电平和2个电压电平、因此我需要7个 ADC 通道或者我需要执行一些我觉得很复杂的多路复用。 我的电流原型实际上使用2个 INA219和4个连接到4通道 DAC 的霍尔效应传感器。 它可以正常工作、但偏移可以证明是头痛的。 我喜欢 INA219的简单、稳定和精确度。 价格相对便宜,也很不错。 INA229听起来不错、但听起来很贵、我不喜欢 SPI 接口。 我都在我的 Atmega 上的 IO 之外。

    我将尝试进行一些 SPICE 仿真、以测试不同的电阻器和电容值、然后不再读取该应用。

    如果您有任何其他建议、我很乐意倾听您的建议!  

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    谢谢 Kai、

    我不知道该电路、谢谢。 为了保护所有 VCC、我目前使用的 LTC4380似乎提供了我所需的所有保护。 但是、由于需要直接连接到电池、它不会保护 INA 的输入端子。  

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    嗨、Superkris、

    输入电阻器将以与影响 Δ-Σ ADC 相同的方式影响 INA219的精度。 存在基于开关电容器及其充电/放电所需的瞬态电流的有效差分输入阻抗(ZDIFF)。 因此、使用输入电阻器可以创建分压器、从而引入增益衰减误差。

    总的来说、这些影响不易量化、对于我们的数字电流感应放大器来说、也不是众所周知的。 此外、使用模拟这些效应

    我建议使用较低的击穿 TVS、因为我有时会看到钳位电压比反向击穿高一点。 只要最大钳位电压低于 INA219绝对最大值、并且最小反向击穿电压大于正常工作电池电压、那么一切都应该正常。

    我会再建议一个选项。 将 INA186-Q1/INA190-Q1与大1kΩ 电阻器(10kΩ Ω 至 Ω)和低功耗钳位二极管搭配使用。 INA186是一款高输入阻抗电流感测放大器、因此相当大的输入电阻不会显著影响增益误差、因此您可以使用功耗更低的钳位二极管。 该器件具有500V/V 增益选项、并且具有非常大的输入动态范围、可以测量您所需的大多数电流。 仿真模型准确地显示了输入电阻器的影响。 本技术手册稍微介绍了器件以及如何计算输入滤波器误差。 http://www.ti.com/lit/an/sboa343/sboa343.pdf?ts=1590767692955

    最棒的

    Peter

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    很抱歉我迟到了。 再次感谢您的支持。

    我给了一些想法、虽然我不喜欢放弃 INA219的想法、但我担心您可能是对的、我需要完全重新设计。 我同意 INA186和 INA190在技术上最适合执行此任务、但在成本和可用性方面存在一些问题。 这两种产品似乎都可以从慕斯和 Digi-Key 那里买到、我通常不会在那里购买组件。 由于每个 PCB 需要4个芯片、因此 INA190的成本也不是很高、每块€2、50块。 INA186在€1、20时性能会有所提高、但价格仍然高于我为 INA219支付的€0、70时的价格。 此外、我计划使用的 EMS (JLCPCB)不能与这些芯片中的任何一个搭配使用。  

    那么、INA181呢? 虽然不建议使用大至100 Ω 或1000 Ω 的输入电阻器、但数据表中并未说明永远不应该这样做。 它只会产生较大的增益误差、但我可以在 UC 的软件中修复该误差。 如果我计算正确、100欧姆输入电阻器的增益误差将约为9%。 只要它只是影响的增益、我就不会真正关心它。 尤其是对于每个单元而言都是相似的。

    INA181的成本也很低、仅为0.35%、而且可用性要好得多。 它甚至在我首选的 EMS 的数据库中。

    尖锐... 我刚刚找到 了似乎由您编写的 SBOA343文档! 很好! 也许这是我的案例的最佳解决方案。 我将执行一些额外的计算。 你有其他建议吗?

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    您好、Superkris、

    不打算打断您和 Peter 之间的技术对话、只需在此处添加快速评论-您可以随时在 TI.com 上购买 TI 组件、同时在此处获取最佳价格。 我们有 INA190、INA186、INA181和其他电流感应放大器产品的库存。

    https://www.ti.com/store/ti/en/

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    我已经完成了一些数学计算、INA181似乎是一个完美匹配的器件、如下面所示。

    我的理解是、更高的射频会降低 芯片的增益、对吧?

    我在计算由较高射频和较大20% Rint 容差引起的增益误差时遇到了一些困难。 在我的公式中、增益误差随着射频的增加而减小、而这应该是另一种方法。 我在数学方面不是很好、所以我确定这是我的错。 我是  

    https://docs.google.com/spreadsheets/d/1WO6qs1FFnHwRmm9c9mYOTNEMc_RiMjyqXRgmHaGgP9A/edit?usp=sharing

     SBOA343文档未介绍如何计算此误差、而 INA181数据表对此进行了详细介绍。

    希望您能对此提供一些见解。 我喜欢这个解决方案的发展方向!

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    谢谢赵,我还记得!

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    嗨、Superkris、

    只要 INA181/INA180满足您的误差要求、就可以选择 INA181/INA180、尽管校准肯定会对此有所帮助。

    如果您希望将 INA181-Q1/INA180-Q1与输入电阻器配合使用、则需要计算理论标称增益变化、并确保直流扫描仍然是线性的。 然后、您将需要为每个 INA181/INA180包含一个增益校准程序。

    必须了解的是、数据表中的增益变化方程(方程5)将告诉您标称增益将如何变化。 是的、添加输入电阻器将始终降低增益。 请注意、有一个2.5kOhm 的标称输入差分电阻。 您可以在我们的仿真环境 TINA-TI 中使用理想的差分放大器来仿真增益变化。 此外、请注意、使用我们的 INA181 SPICE 模型可能不会显示此行为、因为它是一个行为模型。

    请注意、我是如何提到增益变化为标称值的。 实际上、会有差异、因为所有内部电阻器在工艺变化和温度范围内都可能变化+/-20%。 反馈电阻器(RFB)和输入电阻器(RINT)将相互上下移动、因为它们经过修整后具有精确的比率、这就是我们电流感应放大器(CSA)的精确增益设置。

    因此、如果您使用 INA180/INA181 (或任何其他低输入阻抗 CSA)、则在使用输入电阻器时需要考虑增益衰减和增益变化。 我建议使用仿真、其中 RFB 和 Rint 为+/-20%、Rdiff 也可能为+/-20%。 请注意、Rdiff 不必以与 RFB/RINT 相同的方向移动。 如果新的增益变化过大、则您需要在固件中为每个系统中的每个 CSA 建立增益校准程序。

    希望这有道理。

    最棒的

    Peter

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    尊敬的 Peter:

    再次感谢您的支持。 我非常感谢您花时间帮助像我这样的人!

    您的解释同样非常有帮助。 我不确定我是否完全了解 Rdiff 的存在、但知道它的存在使我能够使用您提供的原理图进行一些仿真。  

    下面是我尝试过的4个案例的屏幕截图。 它们的形式不同、理想的内部电阻器也不同、最坏的情况也不同。

    因此、200欧姆电阻器实际上对我非常有用。 4%的增益误差肯定不是理想值、但这是最坏情况下的数字、我想在大多数情况下误差会更低。 虽然每个 CSA 的校准可能都很棘手、但如果确实需要、校准仍然是可能的。 但是、增益对于我的应用来说最重要。 失调电压要差得多。

    200欧姆输入电阻器的增益降低实际上为我计划使用的 ACD 的满量程范围创建了完美匹配、因此这是一个很好的优势。 在最坏的汽车负载突降情况下、200 Ω 电阻器可将电流降至0、9A。 这会在 TVS 二极管上产生20W 的负载峰值、这应该很好。 任何 SMD 电阻器都无法承受这种情况、但大多数"现代"车辆已经有钳位二极管、可将负载突降降低至60或80V。 在80V 负载突降时、输入电阻器将具有16W 峰值。 希望一个 Beefy SMD 电阻器能够承受大多数瞬变。 如果没有、则可以更换。

    对于可能阅读此内容并希望了解的用户、这里是我为100、200和500欧姆电阻计算的完整误差。

    100R 200R 500R
    降低增益 9、09% 16、66% 33、33%
    情况2增益误差 0.045% 0.82% 1、64%
    情况3增益误差 1、78% 3、22% 6、25
    情况4增益误差 2、22% 4、00% 7、69

    请注意:以上所有内容仅对 A3器件有效。 此外、如果您想起诉这些数字、请自行计算。 我显然几乎不知道我在做什么。

    我个人的看法是 INA186/INA190的建议显然更好。 但增益误差是可以接受的。 如果没有、我仍然可以在固件中进行一些校准。 价格和可用性的优势也有助于我选择继续使用 INA180进行设计。

    我制作了下面的原理图。 我添加了一个相当大的滤波电容器、因为我将仅测量频率为每秒4个样本的直流 如果有人有任何其他输入、请告诉我!