[参考译文] AMC1300B-Q1：AMC1300B 与 GaN 器件的适用性以及 CTI &gt 的阐述；140kV/us

 您好 Iñigo、

正如您所指出的、AMC1300B 是我们在该领域内最新、最出色的器件、具有改进的 CMTI 规格。  

让我向我的团队发送一条有关测试设置的说明。

 您好 Iñigo、

今天、我们将 CMTI 压摆率指定为10-90%(根据实际的 VDE 标准)。 明年的某个时候、新的 IEC 标准应以20-80%的效率取代 VDE 标准。 您测量的160kV/μ s 为10%至90%或20%至80%、还是曲线中最陡的部分？ 如果您可以提供此信息、则我们可以告诉您器件将如何针对您的情况运行。  

您希望在哪个最短导通时间内执行电流测量？

我们尚未专门使用 GaN 器件进行测试、但我将联系另一个团队、看看他们是否有任何见解、以及我们是否可以对我们的器件应用相同的测试。  

亚历山大、您好！  

即在10%-90%的时间内为160kV/us。 最陡的部分为200kV/us，相当于约30%- 70%。 这将是我们正在考虑的器件实际上可以达到的最大速度。 在其他应用中、dv/dt 可能会降低、而不会造成太大的损耗、因此如果您能够提供200kV/us 的行为或超过 CMTI 的效果、那将是非常好的。

对于最短导通时间、我认为这受到 INP、INN 至 OUTP、OUTN 信号延迟的限制。 可能是100kHz 的10%占空比或1us 导通时间。 流经分流电阻器的电流波形为三角形。 您是否看到任何限制？ 也许有一个 TINA-TI 仿真模型、但我不熟悉该平台。

提前感谢！
Iñigo μ A。