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[参考译文] CFA 运算放大器以替代 LT1210

Guru**** 2382650 points
Other Parts Discussed in Thread: BUF634A, THS3120, OPA2677
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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/953826/cfa-op-amp-to-replace-lt1210

主题中讨论的其他器件:BUF634ATHS3120OPA2677

您好、E2E、

TI 是否有任何器件可将 LT1210 (ADI 的 CFA 放大器)替换为 Simplis 模型? 交叉参考没有合适的结果。

规格可能不同、也不需要引脚对引脚、相同的功能是可以的。

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    您好、Yi、

    取决于您最关心的规格、

    与 LT1210相比、我们的 CFA 不会达到36V 电源电压或输出电流太大(尽管我们有 一种提高输出驱动能力的设计解决方案)。 如果您未充分利用 LT1210的这两个规格、我们应该能够满足您的参数要求。

    最棒的

    Hasan Babiker

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    LT1210不是非常快的 Cfa、它的功耗有点高(50mA 静态电流)、而是2A 输出电流。  

    如果您需要2A 电流、可能会向 BUF634A 和其中一个器件的复合器件方向移动、  

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    您好、Miachael、

    应用 senriao 类似于下面的驱动功率 MOSFET、因此我需要2A 输出来驱动功率 MOSFET、而设计中的目标电源电压 VCC 为±12V。

    https://www.analogue.com/media/en/technical-documentation/application-notes/an104f.pdf

    一般来说、需要考虑快速响应和高输出电流。 其他规格并不那么重要。

    因此、您的建议是否是 THS3120+ BUF634A 的组合? 但很抱歉、我看不到 BUF634A 具有高达2A 的输出电容、仅250mA。

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    Yi 早上  

    查看 LT1210的实际数据表、更像是1A 输出(最小值、2A 典型值) -  

    该应用手册是 Jim 撰写的许多文章之一-我曾经在海湾地区看到过他一次、他会在那里为我提供 CFA 信息、因为他不是一个很高速的人、而是一个非常彻底的实验室人员。  

    无论如何、该应用手册中的变体太多、无法满足您的特定需求。 但是-  

    1.驱动功率 FET 就是移动输入 C。这是转换时的峰值电流问题,而不是连续电流问题-许多 CFA 放大器的峰值比连续电流高出很多(例如,OPA2677的峰值电流约为1.5A, 但持续时间要低得多)。 但这种情况很少具体说明、因此很难使用这一事实。  

    2.需要您的特定电路-但您为什么要问- LT1210可能太贵了?  

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    了解您提出的要点。 我要求器件替换 LT1210的原因在于基于 SPICE 的仿真。 LT1210仅具有 LTSPICE 模型。

    顺便说一句、我可以向您展示我在仿真下尝试执行的操作、按照该应用手册的基本理念、我将普通放大器用作下面的 X1而不是 Cfa、我发现它也起作用。

    因此、TI 质子中的功率放大器似乎也是一个不错的选择。

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    嗯、感谢原理图、它看起来像 simplis、  

    我认为您不需要 LT 部件的输出驱动- FET 速度相当慢、因此它不能帮助您驱动需要高栅极驱动的快速 Vgs 步进-此外、如果您降低栅极 R 和栅极电流、 运算放大器上的较高电源不是必需的、  

    TINA V11在库中具有该 FET、这里有一些设计研究、然后是我停止运行的 TINA 文件、  

    e2e.ti.com/.../8306.Infineion-power-FET-driver-investigation.docx

    e2e.ti.com/.../3542.Rev-1-OPA2613-power-FET-driver.TSC

    然后是 FET 数据表、  

    e2e.ti.com/.../6622.bsb019n03lx_2D00_g.pdf

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    您对本主题和所有这些材料的强烈兴趣给您留下了深刻的印象。 首先、有点抱歉让您感到困惑。

    在您看来、我可以购买放大器输出电流能力、但在这里、我只利用一个 FET 来验证总体想法、在实际设计中、需要数百安培的电流、一个 FET 是不够的、栅极电阻器也是待定的。 此外、您将 FET 栅极输入视为单个电容器、但实际上有时它很复杂、尤其是在电感负载开关中、会存在米勒效应和米勒电流、需要驱动器器件提供持续高输出电流来为 CGD 充电、从而导致 VDS 下降。

    总之、以上内容并不是这里最重要的内容、我对您的反馈路径设计非常感兴趣。 我还发现环路对电路中任何一个参数变化都很敏感、显示了与环路稳定性相关的不同振铃和过冲行为。

    以下几个问题:

    首先、您要绘制从输入到输出(1m 分流电阻器上的电压)的闭环频域响应、以检查谐振(阻尼比)、对吧? 您是如何提出在输出到负输入之间添加额外 RC 路径的想法的?

    2.为什么要将 R+C 路径更改为二极管+R 呢?

    3、为什么偏置输入电压始终如10mV? 为什么不使用0V 输入来关闭 FET (使电流为0A)?

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    将功率器件置于反馈环路内会增加大量传播延迟(相移)、从而影响相位裕度-串联 RC 会在高 F 时闭合反馈环路、相移更低、使其保持更稳定

    2.当 FET 切断时、环路会发生什么情况? 您需要为该情况提供反馈路径、以防止开环

    我只是在测试 FET 导通状态、FET 关断、在零、这是环路运行的一个棘手问题。  

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    当 FET 关断时、反馈似乎不是必需的、对吧? 因为在应用手册 Jim 中、Cfa LT1210似乎有相同的问题。  

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    Jim 所做的可能工作、我通常担心环路在工作范围的任何部分打开、因为它将有一个未指定的线性工作区域恢复时间-这可能适合您所做的工作、 但在任何公共仿真模型中都不受支持-完整的内部晶体管模型效果更好、但这些模型取决于饱和晶体管和返回线性区域的晶体管的建模精度。