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器件型号：TLV1805 您好！
我有一个500mA 的固定电流源和一个介于0-20V AC 之间的可变电压电源。 我知道 FET Vgs、但这超出了这个问题的范围。 通常、电压将处于中间位置、我不使用低于3.5V 标记的 PFC、因此具有3.3V 导通电压的比较器在这里工作良好。 交流电压较慢、为1-200Hz (最大值)。
我的问题是器件适用性。 由于有源整流对于低电压而言很困难且复杂、我的想法是使用一个电桥、将二极管替换为2个 NMOS 和2个 PMOS、然后使用 TLV1805来防止通过5个 PMOS 的反向流动。 我将查看这些开销在实施过程中是否值得。 选择4.5V 时、我得到了以下图。 请注意、我为反向流 MOS 选择了一个100mΩ μ m PMOS、我认为这是更糟糕的情况、我想让比较器感测压降。
导通损耗(二极管 v FET)
0.35v 二极管/4.5V = 8%损耗= 0.175W
100MΩ MOS = I^2R = 0.050W
反向恢复损耗(FET)
I TRIP = V TRIP / R DS (ON)= 12mV / 22 mΩ= 546mA = 0.006552W
12mV/ 100mΩ= 120mA = 0.00144W
在表面上、导通损耗至少节省了2/3、这使得反向损耗可以忽略不计？
