[参考译文] LM358：电压放大器 LM358

嗨、Dheeraj、  

您能否共享 DAC5的预期信号(电压范围、频率)？  

祝你一切顺利、
Caro

 我将使用 STM32F303VCT6控制器来生成 DAC 信号、即12位 DAC。 因此、数字范围是(0至4095)。  

嗨、Dheeraj、  

您能否以模拟方式指定预期的信号？ 电压范围和频率？  
我查看了您指定的器件的数据表、0至3.6V 是公平的假设吗？  

祝你一切顺利、
卡罗莱纳州

DAC：在运算放大器之后为0至3.3V、将为0-10V  

您好 Dheeraj、

OPAMP 提供4V/V 的增益 因此、3.3V 的输入电压将转换为4 x 3.3V = 13.2V 的输出电压。 对吧？

请解释为什么"SS34"二极管完全安装在从输出端到电源轨的位置。

请解释连接到"AVO_5"输出的是什么。

Kai

抱歉、电压基准设置为2.5V、这就是为什么将运算放大器增益设置为4以生成10V 信号的原因。 AVO_5是将连接 到传动器的模拟输出。 SS34二极管用于 ESD 保护、因为我们直接从24V 为运算放大器供电。

嗨、Kai、这方面的任何更新。  

谢谢

嘿、Kai、抱歉、您之前没有提供清楚说明。  

安装了 SS34来提供 ESD 保护、而不是反极性保护。 我需要在不改变原始信号数据的情况下消除这些、因为 SS34更大、电路板上没有空间容纳它们。 因此、如果我移除 SS34、我需要确保系统正常工作。

嗨、Dheeraj、  

是否有机会切换到 LM358B？ LM358没有 ESD 保护结构、但 B 版本有 ESD 保护结构。 因此无需使用二极管。  

祝你一切顺利、
卡罗莱纳州  

你好、Caro 是的、我可以切换到它。

目前、我使用4通道 LM324N 和2通道 LM358D 执行相同的操作。 我是否还应该为 LM324N 更改某个值、或者在没有二极管的情况下可以正常工作？

您好 Dheeraj、

使用"SS34"是一种用于 ESD 保护的3A 大肖特基二极管、这种情况并不常见。 "BAT54S"可能更适合。

LM358B 可承受2kV HBM ESD。 但是、当客户可以触摸"LM358B"的输出时、CE 标准要求能够承受8kV HBM ESD。 因此、在输出端添加外部 ESD 保护钳位是合理的。 "BAT54S"通常用于此目的。

作为一个3A 的大型肖特基二极管、"SS34"显示出200pF...1000pF 的巨大结电容(取决于反向电压) 这可能会使运算放大器电路不稳定。您的电路的开发人员使用了"双反馈方法"、当必须处理大负载电容但电路仍然不稳定时、通常会使用该方法。 请参阅以下相位稳定性分析：

e2e.ti.com/.../brian_5F00_lm358b.TSC

凭借"BAT54S"提供一个更小的结电容、相位裕度更佳且电路稳定：

(目标是建立大于45°、更好的60°的相位裕度。 则不存在稳定性问题。)

但是、当您将电缆连接到输出端时、额外的电缆电容将再次破坏相位裕度。 200pF 的2m 长电缆将提供仅30°的相位裕度。

减小 C53有助于再次恢复相位裕度、甚至允许连接电缆：

4、有一个很好的 TI 稳定性培训视频系列、还讨论了双反馈方法：

https://training.ti.com/node/1138805

5.为获得最佳 ESD 保护，请将 BAT54S (但仅将 BAT54S)从 LM358B 上移开，最好靠近信号离开电路板的连接器。 为24V 电源电压准备一个100nF 去耦电容、并将上部 BAT54连接到此去耦电容。下部 BAT54连接到此去耦电容的接地端子、该去耦电容位于实心接地层中。 从这个接地点将一个1...10nF 的 Y 形电容器连接到 Metall 机箱。 会非常有效地阻止器件进入整个电路板。 该去耦电容器的接地点、当然还有连接器、应尽可能靠近电路板边缘和 Metall 机箱。

为电路使用实心接地层、并使 LM358B 的去耦电容最靠近电源电压引脚。

所有连接器都位于电路板的一侧。 这也会妨碍 ESD 在整个电路板上从一个连接器传输到另一个连接器。

Kai

感谢 Kai 的简短答复。 我一定会考虑这些指引。