This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] LMC662:用于替代 LMC662的高温运算放大器(&G;200°C)

Guru**** 663810 points
Other Parts Discussed in Thread: LMC662, OPA211-HT, OPA2333-HT, THS4521-HT, LMC660, LMP7721, OPA2333, TINA-TI
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/782326/lmc662-high-temperature-opamp-200-deg-c-to-replace-lmc662

器件型号:LMC662
主题中讨论的其他器件: OPA211-HTOPA820-HTOPA2333-HTTHS4521-HTLMC660LMP7721OPA2333TINA-TI

你好!!

需要帮助来选择 温度额定值 大于200Deg C 的高温运算放大器作为 LMC662的替代产品

要求:

1)需要输入电阻大于1T 欧姆的器件

2)工作温度> 200°C

2) 2)所有其他参数等于或优于 LMC662

此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kiran、

    您是否考虑过对 LMC662使用强制冷却?

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Kai 先生、

    您好!! 感谢您的回复

    对我的应用程序使用强制冷却会使系统要求变得复杂。 因此、我们希望避免这种情况。

    我的电路的关键要求是高输入电阻(>1 T Ω)。 单通道运算放大器没有问题。

    我可以使用 OPA211-HT 作为替代产品吗? 以及如何读取与 LMC662相比的输入电阻?

    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    我认为 OPA211-HT 的输入电阻远低于1T。 请参阅 OPA211-HT 数据表中的共模输入阻抗规格。

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     尊敬的 Kai:

    感谢您的回复!!!

    是的、我已经阅读了规范。我不确定1Gohm 是否足够满足我的应用要求。 我有一个高阻抗输入。

    除了强制空气冷却之外、是否还有其他方法可以保护运算放大器免受高温影响、例如隔热层涂层?

    您能不能推荐任何其他具有高输入电阻(>1 T 欧姆)和温度>125°C 的运算放大器

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kiran、

    TI 员工可能希望为您推荐合适的 OPAMP。 我只想指出、在125°C 以上的高温下、很难保证输入电阻>1T 这与输入泄漏电流和输入偏置电流随温度升高而急剧增加的趋势有关。

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kiran、

    每次搜索时,只有四个>200C 的运算放大器。 OPA820-HT、THS4521-HT、OPA211-HT、OPA2333-HT
    在200C 时、您会发现集成电路 ESD 电流、甚至印刷电路泄漏也会非常高。

    OPA211-HT 是双极输入、因此其输入电流在任何温度下都很高。
    OPA2333-HT 可能是更好的选择、但它具有低电源电压和更慢的速度。

    最好选择我提到的四个设备中最接近(或任何)的设备、然后开始新的帖子。 回复的工程师在200C 时将有很多经验。 我没有这种经验。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好、Kiran

    LMC660是偏置电流最低的器件之一、至少是偏置电流与成本之比最低的器件。 任何 LMC6xxx 器件在室中都将具有毫微微安范围的偏置电流。

    在室温下、在 DIP 封装中、LMC662偏置电流将低于20fA、这是糟糕的一天。 正如 Kai 所说、最低偏置电流接近输入共模范围的中心、在该中心可以消除 ESD 泄漏。 "最佳点"会因器件而异(在稳定的环境中、输入引脚最终将"悬空"至该点)。

    CMOS 放大器偏置电流每10°C 增加一倍、因此从25C 变为205C 是180°C 的变化。 因此10fA 变为2.62nA

    这假设是一个直线关系。 实际上、随着其他内部泄漏开始爬行(通常在130-140C 左右)、通常会有一个拐点在较高的温度下开始。 我没有将 LMC 系列的温度提高到200C -所以我无法准确地说在那里会发生什么。

    正如 Ron 所说、PCB 材料也开始导致泄漏。 可能需要防护装置或"空气配线"。 在"良好的工作日"中、使用了5个金属 CAN 版本、并通过空气连接导线来避免 PCB 泄漏(至少对于输入电路部分)。 通过在空气中弯曲输入引线(如 LMC660数据表中所示)、您可以对 DIP 封装执行类似的操作。 由于 PCB 的引脚间距和表面电阻率更小(以及引脚之间的防护迹线难以运行)、SMT 器件往往具有更高的泄漏。 SOIC 是您想要实现的最小尺寸。

    LMP7721是一款有趣的器件、如果它不能分离开来、也是一款有趣的器件。 它使用自举/防护 ESD 结构、因此室温起始点较低-但我没有采用超过125C 的温度。

    此外-请注意- OPA2333是斩波器、通常不适合非常高的源阻抗(由于斩波电荷注入到输入端而导致的输入瞬态)-即使在室温下也是如此。

    也可以通过注入相反的电流来抵消偏置电流。 连接到低电压可变源的反向二极管或二极管连接晶体管可用于"泄漏"一些电流以抵消。 一些著名的低电流测试设备制造商使用了这种方法。

    在室温下进行低电流测量并不容易-高温会增加另一种程度的疼痛... 您反对的不仅仅是电子学。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     尊敬的 Kai:

    感谢您的回复!!!

    注意到。 您共享的信息很有价值

    谢谢、此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Ronald Michallick:

    感谢您的回复和宝贵的建议

    此致
    Kiran
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Paul Grohe:

    感谢您的回复!!

    OPA2333 -HT 和 LMP7721的输入阻抗是多少?

    是否有任何与 LMP 7721类似但具有更好电流噪声和更高温度额定值的 CMOS 芯片?

    此致
    Kiran
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Paul Grohe、

    如果我通过交流耦合将信号耦合到下一级、则应该 不会因输入偏置电流而产生误差。

    如果我错了、请更正

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    不知道您的应用和电路这个问题无法回答。

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    我正在为 电容式传感器构建前端电子器件、这些器件可在高温环境中工作。

    它只有2个放大器级。

    第一级是交流耦合到第二级、第二级的最终输出也是交流耦合。

    此致

     

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    我正在为 电容式传感器构建前端电子器件、这些器件可在高温环境中工作。

    它只有2个放大器级。

    第一级是交流耦合到第二级、第二级的最终输出也是交流耦合。

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    如果选择的最左侧电阻足够小、则 OPAMP 的输入电阻及其温度变化将不会对测量产生很大影响。

    我们谈论的是什么阻力? 您是否需要使用该电阻设置精确的时间常数?

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Kai:

    电阻器的值将在20至30M 欧姆范围内。 这是因为电阻器和电容器的值将影响波形的形状。

    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    最后、您可以将第一个放大器连接为直流增益为1的交流放大器。 这样、您就不会放大 OPAMP 的输入泄漏电流在30M Ω 输入电阻上导致的压降。

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    我计划将第一级作为单位增益电压跟随器(缓冲器)进行接线。 希望这将解决该问题

    感谢您解决我的疑问并  提出宝贵的建议

    此致

    Kiran

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kiran、

    在第一阶段、我不会不利用这个机会来获得一些有用的信号放大:

    要考虑整形时间常数 R1 x C1、请选择 R3 x C3 >> R1 x C1和 R2 x C2 << R1 x C1。 选择 C2 >= 22p 以提供足够的相位超前补偿、选择 R4 >= 47R 以引入与容性负载的高效隔离。 直流增益将为1、交流增益将为(R2+R3)/R3。 R2和 R3应选择足够低的欧姆值、以最大限度地降低噪声并提高总体稳定性。

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    谢谢你们的建议!!

    我在设计中考虑过互阻抗放大器、但发现带宽会受到限制。

    我看到的带宽大约为150kHz - 200kHz

    此致

    Kiran

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    谢谢你们的建议!!

    我在设计中考虑过互阻抗放大器、但发现带宽将成为 限制因素。

    我看到的带宽大约为150kHz - 200kHz

    此外、输入是电压、不是 电流或电荷

    此致

    Kiran

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    是的、您是对的、在使用30M Ω 整形电阻器时、TIA 似乎相当不利。 我会尝试一下我先前向您推荐的方案。

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    感谢您的回复!!

    我 需要具有高输入阻抗(>1T Ω)的运算放大器。 典型的 TIA 具有相对较低的输入阻抗

    此外、运算放大器的增益带宽要求 也很高、可实现150kHz 至200kHz 的带宽

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kiran、

    您能否提供输入源的电气模型? 所需的下端带宽是多少?
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ronald Michallick:

    感谢您的回复!!

    目前我使用的是第三方传感器、没有任何电气模型

    带宽下限在我的应用中并不重要。 它可以将任何值提高到150Hz

    我可以在电压跟随器/缓冲 器配置中使用 OPA2333HT、以便获得高输入阻抗吗?  

    我的信号振幅不超过2V p-p  

    此致

    Kiran  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kiran、

    该运算放大器仅具有足够的带宽来满足您的小信号需求。 压摆率(大信号)是另一个问题。  对于正弦波、需要的压摆率 SR = PI*Vpp*F = 3.14 * 2Vpp * 200kHz = 1.26V/us、远远超过 OPA2333提供的值。 此外、最大压摆率仅在输入差分电压较大且与虚拟接地概念不兼容时才会出现(假设两个输入相同)  

    无论选择哪种运算放大器、您都应使用输入偏置电流测试传感器、以查看其如何影响传感器的运行。

    您可以使用此类电路或向传感器添加电流的任何其他电路来实现此目的。 如果传感器无法吸收纳安级电流、则必须添加电阻器来吸收 IIB 电流。 IIB 仿真值为("仿真电压"-"U1 OUT")/30M。 如果传感器很容易接受该小电流、则"U1输出电压不会随仿真偏置电流发生太大变化。 传感器交流输出不会随强制偏置电流而变化也很重要。 请记住、仅仅添加测试偏置电流可能 会影响交流输出、因为30M 测试电阻器也是传感器的负载。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ronald Michallick:

    感谢您的建议和对 解决该问题的关注。

    1) 1)传感器输出为8K Hz 脉冲。 我考虑了8kHz 脉冲的谐波、以达到200kHz 的带宽要求。

    在计算压摆率时、我是否不应考虑 f = 8K Hz?

    SR = 2πfV Ω

    SR = 2*3.14*8000* 2.

    SR = 0.10 V/us

    2)

    我正在使用的传感器具有大约100至200pF 的自电容、并由100V 的高压直流电源退出。

    这个电路布置 (30 M 欧姆电阻器)是否足够 好吸收 偏置电流?

    我还将尝试您建议的电路。  请解释您建议的电路中输入侧的电阻器和电容器是什么。 (例如 R1 =10K、用于向传感器提供直流偏置)

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ron Michallick:

    我认为我的压摆率计算是错误的。 请澄清

    此致

    Kiran

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kiran、

    要查看压摆率公式、请考虑过零、这是最快的斜率。
    假设输入为 Vp * sin (2*pi*f*t),最大斜率 dv/dt 为 Vp*2*pi*f*1
    因此我的校正 SR 公式是 Vp*2*PI*F 或 Vpp*PI*f
    对于复杂波形、只需找到最快的边沿并测量其压摆率 dV/dT

    是100V 源和 R1符号、或真正添加到电路中。 如果它是符号泄漏、则传感器的可能泄漏与输入偏置泄漏电流兼容、具体取决于哪个泄漏更大。

    放大思路、我不得不问这个传感器是在210C 还是更高的温度下工作? 许多传感器制造商提供了一个建议的电路示例、展示了如何将传感器连接到放大器。 是这样吗?

    您需要1个万欧姆放大器、但您的图中的 R2是重负载0.00003万欧姆。 如果您仅需要1T 直流电压、则应关注低泄漏"C1"电容器。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ronald Michallick:

    1)是100V 源和 R1符号、或实际添加到电路中。

    它实际上已添加到电路中


    2) 2)我必须问这个传感器是在210C 还是更高的温度下工作?

    是的、该传感器可在200°C 的温度下工作

    3) 3)许多传感器制造商提供了一个建议的电路示例、展示了如何将传感器连接到放大器。 是这样吗?

    制造商没有建议

    4) 4) 在额定温度较低(125 C 及以上)时、最适合选用的运算放大器是什么 ? LMP7721或任何更好的产品

    此致

    Kiran


  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Kiran、

    借助这些新信息、我可以建议使用电路;我不能建议器件的额定温度不符合所需的温度。

    R3和 C4有助于消除仿真显示的增益峰值、而不使用这些组件。 如果峰值不是很麻烦、则应将这些元件保持在空载状态、以节省电源电流、从而降低运算放大器的自发热。 输入偏置电流的直流漂移为 Ib * 30M、因此5nA 将是150mV 的漂移。

      

    OPA2333-HT

    e2e.ti.com/.../OPA2333_2D00_HT.TSC

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ron Michallick:

    感谢您提出 该计划。

    1) 1)我使用 LT Spice 仿真 ckt。 (免费)。 我无法模拟可变电容器、因此实际上尝试了电路。   对于我的应用、C2值不能小于2000pF。 我获得了 C2 R2谷底实验的最佳组合。 任何其他值都会影响波形的形状。

    2) 2)我期望运算放大器输入端的最大电压为2Vpp。 由于引入的误差本质上是直流(直流偏移)、并且我将其交流耦合到下一级、因此这不应成为问题。  

    3) 3)要考虑的任何其他关键参数? 请建议。

    3)尽管信号是单端信号、但我可以考虑使用仪表放大器。 以便我可以使用单芯片并获得必要的增益?

    此致

    Kiran

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kiran、

    1) 1) C2可随意增大。 它有助于设置较低的带宽和加电时间。
    2)非常好
    3) 3)仅为额定温度、不要使用慢于 OPA2333的运算放大器
    4) 4) IA 也可以单端工作。 与往常一样、保持在建议的输入共模范围内。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ron Michallick:

    感谢所有的帮助和建议  

    此致

    Kiran

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Ronald Michallick:

    R3 C4是否为低通滤波器? 以及您是如何获得该值的

    此致
    Kiran
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kiran、

    不可以、这是用于稳定 OPA2333的缓冲器。 您可以看到在模拟具有陡峭边缘的方波时的影响:

    e2e.ti.com/.../kiran1.TSC

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Kai:

    明白了! 谢谢

    此致
    Kiran
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Kiran、

    在没有缓冲器的情况下、我看到2.1dB 增益峰值在270kHz 左右、因此第1个缓冲器设置为27kHz (降低一个十倍频)[2.2nF]、结果是0.84dB 峰值。 另一个十倍频下降的频率为2.7kHz、峰值为0.43dB。 2.2nF 和22nF 之间的差异很小。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kiran、

    缓冲器方法有点复杂。 它可能工作、也可能不工作。

    R3必须与 OPAMP 的开环输出阻抗相同、OPA2333为2k。 因此、R3=2k7是一个不错的选择。 然后、您尝试找到合适的 C4来提高稳定性。 如果 OPAMP 不稳定、则可以看到单位增益带宽范围内增益图中的峰值或阶跃响应中的振铃。 我的仿真图片。

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    您可以使用 TINA-TI 轻松检查添加的缓冲器的稳定性。 观看 TI 的稳定性培训视频:

    training.ti.com/ti-precision-labs-op-amps-stability-3

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ron Michallick、

    感谢您的回复

    1) 1)我必须选择的电容器类型(22nF)

    2) 2)什么电容器适合直流阻断? 请提供建议(如 聚酯等)

    3) 3)如何访问 TINA-TI?

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Kai:
    谢谢你

    TINA-TI 是否免费? 如果是、如何下载?

    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    是的、TINA-TI 是免费的。
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    我希望在回答这个问题时不要打扰 Ron。。。

    我会采用一个良好的 X7R。 当然、您也可以使用金属化聚酯箔盖。

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Kai:

    如果我在寻找超过200°C 的温度范围和分立式组件(通孔)、该怎么办?

    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Kiran、

    哎呀、我忽略了您的200°C 要求。 这些电容器可用于:

    www2.mouser.com/.../N-5g8m

    如果它们是非库存的、请搜索其他分销商。

    对于200°C 应用、我更喜欢 C0G 陶瓷电容器。

    Kai

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你(们)好,Kaii

    谢谢

    哪种类型的通孔电容器适合温度低于125°C 时的直流阻断和滤波应用?

    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    我将采用 C0G (NP0)陶瓷电容:

    www.mouser.de/.../N-bkrdj

    Kai
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kai、

    聚苯乙烯电容器如何?
    此致
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Kiran、

    我知道的最强聚苯乙烯盖无法承受+125°C 的温度

    Kai