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[参考译文] LM358：外壳温度

admin
Guru**** 2493545 points
Other Parts Discussed in Thread: LM358

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/783733/lm358-tcase-temperature

器件型号：LM358

大家好、

您能帮您了解 LM358DR 和 LM358MX_NL 的 Tcase 温度吗？

谢谢、

Mark Chen

  • 0
    TI__Guru**** 2493545 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Mark、

    我不是很理解这个问题、所以这个答案可能不有帮助。

    外壳温度将由环境温度、LM358功率耗散、电路板布局和电路板温度决定。
  • 0
    TI__Guru**** 2493545 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Ron：

    我们要知道的问题是"MAX3243ECDBR 和 TRS3243ECDBR 以及 LM358DR 和 LM358MX_NL IC 的 IC 外壳温度标准是什么"。
    正如您所知、IC 的工作环境温度标准符合规格。 文件是70°C、但我们想知道 IC 工作外壳温度标准、用于检查系统内部具有一些应力条件的 IC 外壳温度是否符合热标准。

    谢谢。

    此致、

    查尔斯3/19.
  • 0
    TI__Guru**** 2493545 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    查尔斯

    如您所说、所有这些器件的环境温度额定值均为70C。 除 ABS 最大存储温度外、没有指定的外壳温度。 LM358的绝对最大芯片温度为150°C。  

    裸片温度可通过测量外壳温度的顶部来估算。  TJ = TC +ψJT * PD

    ψJT (psi JT) 是一个比 TJC 更好的因子、这意味着所有热量都通过外壳顶部排出。 PD 是功率耗散。

    根据数据表、LM358D ψJT Ω 为19.2C/W

    LM358M ψJT 是15.5C/W 的热模型

    3243ECDBR θ ψJT 为每个热模型3.2C/W

    有关传统和新热指标的更多信息、请参阅 《半导体和 IC 封装热指标》。