[参考译文] LMH6629：基于用于低温应用的 SiGe 工艺的运算放大器调查

您好！  

不确定 LMH6629、但以下内容可能对您有所帮助

OPA837 (升级版 OPA836)

THS4551 (FDA)

OPA838 (类似于 LMH6629的解压缩率)

不确定 SiGe 是什么让它在较低温度下更好、您能在77k 时附加一些参考吗？

您好！

感谢您的参与！ 836/837输入电压噪声非常高、不确定在低温下它将如何变化... OPA838值得一试... 我还在考虑前面具有分立式级的混合器件

AFAIK BJT 和 JFET 在低温下失效、而 SiGe HBT 和 HEMT 仍然可用(HBT BETA 实际上上升)。 有关 LMH6629、请参阅以下白皮书： https://arxiv.org/pdf/1706.04213

大家好、我开始浏览这篇文章、似乎他们错过了一个非常重要的要点、  

图2显示了放大器 GBP 在冷态时显著增加。 这意味着、对于跨阻设计、当您生成这些图10并且 GBP 变得越来越冷时、需要调整反馈电容器以避免响应峰化、如图11中的噪声图所示-似乎有更多的空间来改进您的设计方法。 在本演示中、我们尝试简化了此设计流程。 简单总结是反馈极点与 ppt 中描述的 Fo 之比是闭环响应的 Q。 此外、我没有看到文章中 CD 是什么、但在反相节点上添加10pF 会不必要地损害噪声和带宽。  

e2e.ti.com/.../1856.Transimpedance-design-flow-using-high-speed-op-amps.pptx

感谢您的提示-绝对是一个有洞察力的阅读！

我想知道、无论增益如何、由于反馈的寄生效应、GBP 会在什么时间点影响您...

是的、在更高的射频下、您最终会进入 femto Farad comp cap 解决方案、此时、我转到 Tee 网络、  

更具体地说、在测量了相当多的表面贴装电阻器后、我使用了0.18pF 的寄生电容作为一个很好的猜测。 如果您需要较低的值(<20k)、精密电阻产品可实现所谓的红色 buf 轴向电阻、寄生电容小于0.05pF。 它们现在可能具有表面贴装版本。 许多早期的 HP 网络分析器都使用了这些功能。 不确定他们现在使用的是什么、但可能会有启发性。  

您好！

我已经在77K 及以下的条件下测试了一些运算放大器和分立器件：

ADA 4897：77 K LF 噪声上升~10倍

THS4303：在77K LF 噪声上升~2倍

OPA211：噪声在77K 时增加、在4K 时不起作用

对于分立器件、NXP 的 SiGe BFU 系列和停产的 SiGe NESG3031以10mK 的速度工作、对于大型 IC、β 增加。

对于 HEMT、ATF36136在 MK 温度下工作、Yong Jin 的 HEMT 也是如此  

我有一个问题要问 Michael Steffes：

分立式 SiGe 晶体管可在低于4K 的条件下工作、许多 SiGe 运算放大器我已经测试失败。 这可能是由于内部电阻器的值在低温时会发生变化。 当 VFA 解补偿时、您在平面模拟文章中说过降补偿电阻器会降低。 这可能使它们能够在较低的温度下工作。 您是否知道具有"最小"内部电阻的 SiGe 运算放大器？

Çağlar Girit