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[参考译文] XTR111：输出信号的漂移约为0.016mA、导通电源

admin
Guru**** 2558250 points
Other Parts Discussed in Thread: XTR111, PGA900

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/859403/xtr111-the-output-signal-will-drift-about-0-016ma-atfer-power-on

器件型号：XTR111
主题中讨论的其他器件： PGA900

您好，

我的电压至电流电路有2个问题、您能帮我解决两个问题吗、我认为这两个问题是相关的。

输出 信号在导通时的漂移约为0.016mA，例如，上电时的输出为20.000mA，并将在一段时间内增加至20.016mA。

2.当 VSP 增加到24V 时，MOSFET (Q2*)会发热。

我的设计使用 PGA900 + XTR111输出4~20mA 信号、当 VSP 为12V 时、MOSFET 不会发热、但在24V 下会发热、信号漂移是否由 MOSFET 引起？

下面是 XTR111原理图部分：

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    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Roy、您好！  

    感谢您的参与。 我同意-您看到的两个问题可能与此相关。 输出电流漂移可能是由系统中的发热问题引起的。

    请分享您的电路板布局信息吗？ 为了正确散热、外部晶体管(Q2)需要适当的散热器。 例如、请参阅 Si3459BDV 用户指南的第8页。 它展示了安装功率 MOSFET 的最佳实践：

    http://www.vishay.com/docs/69954/si3459bd.pdf

    如需更多参考、您可能需要查看 XTR111 EVM 用户指南。 第7页显示了 EVM 布局、其中组件 Q3是外部功率 MOSFET：

    http://www.ti.com/lit/ug/sbou048c/sbou048c.pdf

    此致、
    弗拉基米尔

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    TI__Guru**** 2558250 points
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     您好、Vladimir、

    感谢您的紧急响应！

    随附的是光绘文件。

    对于 Q2*，我已按照数据表中的建议添加适当的加热皮肤。如下图所示。

     由于 PCB 尺寸受限、因此我推测使用小尺寸组件；

    我不知道为什么当 XTR111的电源增加时 MOSFET 温度会出现 Rised。

    今天我又发现了另一个现象，当对 XTR111和.d4*施加+11.5V 电压时，输出在半小时内从19.980mA 降额到19.974mA

    这种变化与向 XTR111和 D4*添加24V 电压时发生的情况相反，当我用纸张为 PCBA 扇出时，输出成分会出现去皱现象。

    它似乎也与温度有关。 但我不明白如果温度？影响、为什么输出并不总是增加或去折痕  

    您能给我一些关于如何分析问题的建议吗？ 谢谢！！

    e2e.ti.com/.../gerber.zip

    此致、

    罗伊

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    TI__Guru**** 2558250 points
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    您好、Roy、

    为什么您在 MOSFET 的漏极到单个接地之间省略了10nF 电容器？ 该电容器对于整个输出部分的稳定性非常重要。 您不应忽略它！

    此外、如果您使用 DVM (数字万用表)测量电流、则会向输出端提供非常低的负载电阻(负载)。 因此、MOSFET 上的所有电源电压必须下降：24V x 20mA = 480mW。 这对于 SMD 电路而言非常重要。

    我最好采用 BSP170或 NTF2955。

    Kai

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    TI__Guru**** 2558250 points
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    您好、Roy、  

    我同意 Kai 关于10nF 电容器的上述反馈以及他关于 P 沟道 MOSFET 选择的建议。  XTR111 数据表在第14页的表1中提供了其他建议。 如果器件能够更好地散热、则会提高输出稳定性。  

    您是否能够在电路中尝试替代功率 MOSFET 并查看输出漂移问题是否有所改善？


    此致、
    弗拉基米尔

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    TI__Guru**** 2558250 points
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     您好、Vladimir 和 Kai、

    感谢您的建议！

    我将在 后面的设计中添加10nF 电容、并使用 BSP170再次进行测试、发现漂移问题得到了改善。

    它在较高电压输入(26V 时)下具有更好的性能、漂移约为0.006mA、在12.5V 电源下漂移-0.011mA。

    我认为最好为以后的设计选择大尺寸 MOSFET。

    非常感谢您的支持！

    此致、

    罗伊

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    TI__Guru**** 2558250 points
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    您好、Roy、

    是的、BSP170P 是一个不错的选择。 不过、应将其 PG-SOT223封装(引脚4)的冷却"翅片"足够铜平面来提供足够的冷却。 并使 BSP170P 并不完全靠近 XTR111。 否则、BSP170P 可能不希望加热 XTR111。 此用户指南(已由 Vladimir 推荐)显示了一个非常好的布局：

    www.ti.com/lit/ug/sbou048c/sbou048c.pdf

    Kai

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    TI__Guru**** 2558250 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您让我们了解这一改进、Roy。  

    Kai 再次提供专家反馈；将更大的功率 MOSFET 放置在远离 XTR111的位置将进一步减少由发热引起的漂移、绝对是这样。

    祝您设计顺利、如果出现问题、请随时提出进一步的问题。  

    此致、
    弗拉基米尔