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[参考译文] TRF37C75:直流偏置要求

Guru**** 2561960 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/862882/trf37c75-requirement-of-dc-bias

器件型号:TRF37C75

大家好、

我想了解为什么必须在输出端对射频放大器进行切割?

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    Nishanth、您好!

      这被认为属于采用标准直流偏置配置的"A 类放大器"类别、例如达林顿增益块放大器。 这会设置内部晶体管的偏置。 在这种情况下、使用达林顿晶体管、该晶体管包含两个晶体管、但其作用类似于单个晶体管、具有高电流增益和高输入阻抗的优势。 使用射频扼流电感器最大限度地减小器件外部的增益和功率损耗有助于保持这些器件更小、与片上电感器相比、射频扼流电感器的 q 因数有所改善、 并且能够选择针对应用工作频段进行优化的电感器值。 在内部、存在有源偏置;但是、这用于根据不同的温度和电压范围进行调整。

    谢谢、
    Sima

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    您能否解释一下原理图、让事情更清晰?  

    谢谢、此致、

    Nishanth A B

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    Nishanth、您好!

      内部晶体管的偏置在输出端通过使用电压源、串联电阻器和射频扼流圈在外部完成、原因在我之前的帖子中说明。 如果您需要有关详细公式/原理图分析的更多信息、我可以离线提供该源。

    谢谢、

    Sima

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    我将关闭该主题;因为问题已脱机。