主题中讨论的其他器件:LM358B、 LM358-N、 LM358、 LM324、 LM321LV、 LM324LV、 LM321
您好!
在搜索 LM358时、我找到了一组不同版本的 LM358、LM358-N、LM358B 和 LM358LV。
所有这些器件之间的区别是什么? 您能在两者之间分享一些优缺点吗?
谢谢、
David
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您好!
在搜索 LM358时、我找到了一组不同版本的 LM358、LM358-N、LM358B 和 LM358LV。
所有这些器件之间的区别是什么? 您能在两者之间分享一些优缺点吗?
谢谢、
David
尊敬的 David:
问得好! 首先、让我向您指出一个动态链接、该链接从规格和成本角度对这些器件进行了比较:
现在、让我们单独讨论以下每一项:
LM358:该器件由 TI 设计并于20世纪90年代发布。 这是一款传统器件、最大电源电压高达32V、具体取决于等级。 它无处不在、由许多半导体公司制造(尽管它们之间的差异都很小、超出了本论坛博文的范围)。
LM358-N:如上所述、LM358由多家半导体公司制造。 其中一家公司 National Semiconductor 早在2011年就被 TI 收购。 因此、National Semiconductor 的 LM358版本被重命名为 LM358-N
LM358和 LM358-N 在设计时均以其目标价格提供良好性能。 然而、新的设计技术、工艺技术和制造改进使 TI 能够创建针对常见应用进行优化的新器件。 此外、较新的器件具有 EMI 滤波、更低的功耗、更宽的温度范围、更好的初始输入失调电压和 Vos 漂移、并且仍然具有经济实惠的特性。
LM358LV:"LV"表示"低电压"、因此主要差异是电源电压(最大5.5V 与最大32V)。 之所以开发"LV"版本、是因为我们发现许多客户在低电压应用中使用了较高电压的 LM358和 LM358-N。 "LV"版本更适合低电压应用(例如、更低的功耗、更好的偏移和漂移)。 请注意、单通道 LM321和四通道 LM324也具有"LV"版本(LM321LV 和 LM324LV)。
LM358B:主要差异同样是电源电压(最大36V 与最大32V)。 "B"版本的开发有多种原因。 首先、许多应用具有+/- 15V 电源、因此最好具有36V 的最大电源电压。 此外、"B"版本在包括偏移、增益带宽、压摆率和更宽温度范围在内的几乎所有规格中都具有更好的性能。 最后、与大多数新器件一样、"B"版本具有 EMI 滤波器。