大家好、团队、
对于 TLV8544 EMIRR 性能有疑问。 请提供意见。
在 TLV8544数据表中、图25 EMIRR 性能、测量是通过传导方法在输入引脚处注入噪声来完成的吗?
在 TLV8544数据表图25中、EMIRR 性能在10MHz 至1000MHz 之间。 您能否提供高达6GHz 的参考 EMIRR 频率响应?
在 AN-1698图7中、显示了 IN+、IN-、VDD、VSS 的 EMIRR 频率。 请问您是否可以为 TLV8544提供相同的测试方法?
此致、
丁
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大家好、团队、
对于 TLV8544 EMIRR 性能有疑问。 请提供意见。
在 TLV8544数据表中、图25 EMIRR 性能、测量是通过传导方法在输入引脚处注入噪声来完成的吗?
在 TLV8544数据表图25中、EMIRR 性能在10MHz 至1000MHz 之间。 您能否提供高达6GHz 的参考 EMIRR 频率响应?
在 AN-1698图7中、显示了 IN+、IN-、VDD、VSS 的 EMIRR 频率。 请问您是否可以为 TLV8544提供相同的测试方法?
此致、
丁
你好、Ting
感谢您联系 TLV8544。 第一个问题的答案是肯定的。 图25是直接驱动输入的 EMIRR。 我将需要就您的其他问题与您联系、并了解我们的新测试设置可以驱动多高的频率。
关于电源引脚和输出的测试、我将回顾我们的测试硬件、看看这是否可行。 您提到的应用手册为该测试构建了专用硬件。 为了测试这些频率、它需要一个专用的硬件。
我看到了 Kai 关于如何处理 EMI 的评论。 我同意屏蔽始终是一个好主意、仅屏蔽并不能解决 EMI 问题。 传导 EMI 直接出现在进入屏蔽盒的导线上。 使用同轴电缆之类的屏蔽线可以限制拾取量、但在电路板的每个入口点使用低值分流电容器接地非常有效。 许多工程师渴望在所有去耦合过程中将0.1uF 电容器降压、但在高频 EMI 抑制的情况下、我建议使用10pF 范围内的陶瓷电容器。 对于具有高辐射水平的系统中的去耦电源引脚也是如此。 通常建议使用3个电容器以实现适当的电源旁路、从而覆盖不同的频率范围。 通常、我们建议使用10uF、0.1uF 和 nF 或 pF 范围内的电容器。
在与我们的验证团队交谈后、我将返回给您有关测试能力的信息。
卡盘