主题中讨论的其他器件: TLV3602、 TINA-TI
您好!
我希望在 TLV3601或 TLV3602的同相配置中使用外部迟滞。 我的迟滞电压(V_hys)为80mV。 迟滞电阻根据 TLV3601数据表中的公式(3)进行计算。
在下面、您可以找到 我的仿真电路的 Tina-TI 文件。 虽然 TINA-TI 中的直流传输特性表明 V_hys = 80mV、但在峰峰值噪声电压为40mV 的瞬态分析中、磁滞电路不起作用。
这样做的原因可能是什么?
此致、
Kara
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您好!
我希望在 TLV3601或 TLV3602的同相配置中使用外部迟滞。 我的迟滞电压(V_hys)为80mV。 迟滞电阻根据 TLV3601数据表中的公式(3)进行计算。
在下面、您可以找到 我的仿真电路的 Tina-TI 文件。 虽然 TINA-TI 中的直流传输特性表明 V_hys = 80mV、但在峰峰值噪声电压为40mV 的瞬态分析中、磁滞电路不起作用。
这样做的原因可能是什么?
此致、
Kara
Kara
感谢您的联系。 抱歉、这给您带来了一些挑战。 e2e.ti.com/.../7776.TLV3601_5F00_hys.TSCI认为它与 TINA 中的设置问题有关。 由于您正在模拟2us 瞬态窗口、因此建议您进入 Analysis/Set Analysis Parameter (分析/设置分析参数)菜单、并将最大时间步长设置为2us / 1000。 看看我如何将其设置为2n。 完成此操作后、您将看到我获得了如下所示的预期结果。 我随附了修改后的文件供您使用。
卡盘
您好、Kara、
当您的仿真信号必须处理非常不同的信号(所需的1MHz 信号和1GHz 噪声信号)时、这总是很棘手。 因此、我同意 Chuck 的说法、他说干扰也很可能是仿真伪影。 我会说看到伪迹而不是真实行为的概率大约为50%。
此外、使用1GHz 信号运行仿真相当学术性、因为您需要添加所有复杂的布局阻抗、例如铜轨的电感、电阻器和电容器的寄生串联电感、组件的寄生并联电容以及布局和安装的组件的杂散电容。 因此、如果您的电路中确实存在1GHz 噪声、那么如果您的真实电路的性能与仿真不同、不要感到惊讶。 因此、尽管您目前不打算增加迟滞、但稍后可能需要在出现问题时增加迟滞。
当您想要添加低通滤波时、请将 R3保持在高于 R1的位置。 如果可能、则为五次或更多。 C1不得直接安装在比较器的正输入端。 这将产生反作用,因为减缓了通过敏感和脆弱的门槛区域的旅行。 添加迟滞的想法正好相反、即加速通过阈值区域的行程。 这使得 R3的存在如此重要。
R1和 C1形成的时间常数以及低通滤波的转角频率当然应高于所需信号的信号频率。 否则、您将看到额外的延迟、最终是不需要的延迟。 此处低通滤波的转角频率约为72MHz、1MHz 时 C1的阻抗约为7200 Ω。 因此、所需的信号看不到 C1和 C1的滤波效果。 似乎只有 R1和 R3存在。 因此、迟滞不变:20K/320 = 10k / 160。
由于仿真似乎并不能说明全部事实、那么您可以从仿真中了解什么?
使用迟滞始终是明智之举、添加一些良好剂量的低通滤波会非常有帮助。 即使在正确的位置存在简单的串联电阻、也会产生疑问:它限制了流入芯片和信号接地的电流尖峰、并最大限度地降低了接地噪声和接地反弹。 它可以抑制 LC 串联谐振、并与杂散电容结合形成低通滤波器。
话虽如此、就 HF 而言、滤波器和串联电阻一定不能过高。 通常情况下、大约几十欧姆到几个100欧姆之间的电阻会起作用。 因此、在绘制电路布局时、请准备好在这里和后面添加串联电阻器。
Kai