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[参考译文] TLV7031：为电子保险丝选择比较器

admin
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Other Parts Discussed in Thread: TLV7031, TLV9032, TLV1805, TPS1663
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1191707/tlv7031-selection-of-comparator-for-electronic-fuse

器件型号：TLV7031
主题中讨论的其他器件： TLV9032、 TLV1805、 TPS1663

大家好、
我正在设计一个典型的电子保险丝(不幸的是我找不到一个用11A 来打开电路的电子保险丝)我已经设计好了所有的级、 但在电流感应电路中、我想放置一个可激活 NPN 晶体管基极的比较器、我想使用 TLV7031DCKT、但我不知道它是否能够提供我需要的电流、如果使用该比较器、该电路是否工作良好？ 我将放置该设计的参考图像(忽略​​组件的值、仅供参考、以便您了解 TLV7031DCKT 的用途)我将 TLV7031DCKT 放置在 U1中、因为 U2是 INA280A1电流放大器、 我认为这是最好的选择、如果您能帮助我、我将非常感激

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    指定的 VOH 是使用3mA 的电流测量的。

    有些 电流放大器具有集成比较 器(通常具有低电平有效的开漏输出)。

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    尊敬的 Martin：

    感谢您的参与。 您希望在 TLV7031的输出端加载多少电流？ 正如 Clemens 所提到的、VOH/VOL 电平将取决于电流；您可以在数据表的图18-21中看到这种关系、其中显示了基于灌电流和拉电流预期值的输出摆幅图。  

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    尊敬的 Martin：

    Q2、Q3和 Q4的用途是什么？ 您的电路为何如此复杂、有特殊原因吗？

    Kai

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    Martin、

    我们将等待您的来信。

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    当比较器电路变为高电平时、我确实希望最小电流约为10mA、但持续几微秒、因为当晶体管 Q4导通时、它向 Q3的基极和二极管提供电流、而 TLV7031DCKT 的电流将显著降低。 但我观察到、当 Vcc = 5V 时、5mA 电压会降至4.78V、因此当导通晶体管 Q3时、我预计比较器的输出电压会大约为4.5V？

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    TI__Guru**** 1151780 points
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    尝试为晶体管 Q1建立锁存电路、因为当过流检测后电流停止流动时、比较器将再次提供低电平、并且一切都将随着过流再次出现而重新打开、这是我可以做的最好的事情。 这是我第一次设计电子保险丝、我想使用电子保险丝、但我不知道您可以推荐哪种电子保险丝在电压大于33V 的情况下工作、并检测大于11A 的过流？

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    尊敬的 Martin：

    感谢后续行动。 TLV7031是一款毫微功耗比较 器、因此不应具有非常强大的输出级。 我可以看到您的意思、因为您无法看到超过5mA 的数据、但如果您确实需要10mA 的拉电流、我建议使用另一个 器件、例如 TLV9032或 TLV1805、它具有更好的拉电流能力。  

    关于电子保险丝的建议、让我将此主题转发给相应的团队。  

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    尊敬的 Martin：

    请查看 TPS1663。 它是一个6A 电子保险丝、可并联以支持更高的电流、如应用手册 https://www.ti.com/lit/an/slvaf13/slvaf13.pdf 中所示

    此致、

    Rakesh

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    TI__Guru**** 1151780 points
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    尊敬的 Martin：

    [引用 userid="513290" URL"~/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1191707/tlv7031-selection-of-comparator-for-electronic-fuse/4494614 #4494614"]尝试为晶体管 Q1制造锁存电路、

    好的、我明白了。 这个电路非常有趣

    我同意 CHI、也不会在该电路中采用毫微功耗比较器。 而且不需要它、因为您在输出端消耗10mA 的电流、并且电源电流不需要在100nA 范围内、对吧？

    我会添加一个与 D1并联的小电阻器、以便在关断 Q1时能够可靠地对 PMOS 的栅极源极电容(以及 D1的结电容)放电。 该电阻器应>= R1、以避免产生不需要的分压器。 您可能还需要将一个小电容与该栅极源极电阻器并联、以控制导通和关断延迟。 应选择延迟时间、以便使 Q3和 Q4闭锁及时锁定。 否则、电子保险丝可能会振荡。

    Kai

     

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    TI__Guru**** 1151780 points
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    您好 Kai、


    我将遵循您的建议、并将电阻器与齐纳二极管并联、但我在某些设计中看到了您提到的电容器、我不确定我应该如何计算它、 如果您有任何信息可以计算必要的值、并且知道我应该在我的应用中使用的电容器类型对我来说非常有价值、感谢你们的帮助。

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    TI__Guru**** 1151780 points
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    尊敬的 Martin：

    e2e.ti.com/.../martin_5F00_pmos.TSC

    R2和 R3的并联电路乘以 C1可设置接通延迟、而 R2乘以 C1可设置关断延迟。 如果 PMOS-FET 的栅极源极电容相关较高、则必须将其添加到 C1中、以获得更准确的延迟时间估算值。

    请记住、延迟时间还取决于 PMOS 的实际栅极源极阈值电压(该电压可能因示例而异、并随温度变化)以及上次切换的时间。

    Kai