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[参考译文] XTR111:100°C 运行

Guru**** 664280 points
Other Parts Discussed in Thread: XTR111
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1212480/xtr111-100-c-operation

器件型号:XTR111

您好!

在数据表中编写了 XTR111的工作温度范围为- 40 - 125°C 我的客户遇到 温度上限问题。 与100°C 的结果相比、输出电流有相当大的差异(大约为7%)、这是不常见的吗? 电路输出端的负载电阻为50和500欧姆、最坏的情况是50欧姆电阻。

谢谢!

Daria

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    尊敬的 Daria:

    当电流释放 p-mosfet 与 XTR111没有充分热隔离、并开始不间断地使 XTR111升温时、就会发生这种情况。 此外、允许在印刷电路板上使用足够大的"铜"正确冷却 p-MOSFET。 请记住、P-MOSFET 需要在 PCB 的焊接侧有一个局部隔离铜平面作为散热器。 此外、在 XTR111和 p-MOSFET 之间留出足够的距离。 。

    XTR111评估模块用户指南(修订版 B)

    显示了一个经过验证的良好布局示例。

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    尊敬的 Daria:

    我同意 Kai 的观点。  如果您想查看原理图和 PCB 板布局、请告知我们。   

     您可能还需要确保 XTR111的散热焊盘连接到 GND、  应将引线框芯片焊盘焊接到 PCB 上的散热焊盘上。

    当发生高温问题时、P-FET 晶体管的散热器通常是主要问题。 电流输出的主要功率耗散部分位于外部 FET 中。 务必考虑外部 FET 的功耗、这是电源电压和电流输出范围的函数。    

    请在设计中包含适用于 FET 的散热器。  例如、XTR111-2EVM  在 SOT23-3封装上组装有 ZXMP6A13FTA P-Channer MOSFET。 如果您参阅 XTR111EVM 用户指南第7页上的 XTR111电路板布局布线、应将 P-FET 的漏极(PIN2、引脚4散热器)连接到 顶部的一个隔离式铜填充、并连接到底部的另一个隔离式铜填充以实现散热。

    谢谢、此致、

    路易斯

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    您好、Luis:

    很抱歉这么晚才回复、

    客户拆焊了电路中的双极晶体管、这产生了很大的影响。 现在、 它们的测量误差小于1%。

    我想问、是否需要在电路中安装该晶体管? 我附上了包含 XTR111的原理图(仍有双极晶体管)。
     评估板的行为非常相似、这就是 他们询问温度上限的原因-如果125摄氏度通常有明显差异或造成如此大误差的情况。

    谢谢!

    Daria

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    尊敬的 Daria:

    客户从电路中脱焊了双极晶体管,这产生了很大的影响。 现在 它们的测量误差小于1%。[/报价]

    这将敲响您的警钟:在非常高的温度下、每个晶体管的基极发射极电压从0.6V 降至0.4V 甚至更低。 请参阅 MMBT5087的数据表。 因此、在大约20mA 的输出电流下、双极晶体管错误地部分导通(R4上的压降= 15R!) 并产生误差。

    但这里双极晶体管不是问题、而是电路冷却不当。 我认为您必须大幅改善印刷电路板的冷却情况。

    您可以显示布局吗?

    请记住、双极晶体管是作为短路保护的一部分邻接的。 如果没有这个双极晶体管、XTR111将是您的电路中发生故障的下一个因素。

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    尊敬的 Daria:

    如您所述、器件工作范围为-40°C 至+125°C、需要使用数据表  典型值  这个温度范围内的量程误差大约为±0.1%。 但是、 XTR111电气特性表仅在–40°C 至+85°C 的有限温度范围内提供量程误差规格保证   无论如何、我同意 Kai 的观点、误差增益误差很大、可能是 由于 PCB 板上的外部 FET 过热而导致的、导致双极晶体管出现问题、从而降低双极晶体管发射极电压。

    需要使用带有双极晶体管的 XTR111外部电流限制电路来保护器件免受数据表第13页上所述的故障情况的影响。  

    如果可能、请提供 PCB 电路板布局布线以供查看、还请包含包括元件容差的器件列表、以便我们可以提供建议。

    谢谢、此致、

    路易斯