您好!
在数据表中编写了 XTR111的工作温度范围为- 40 - 125°C 我的客户遇到 温度上限问题。 与100°C 的结果相比、输出电流有相当大的差异(大约为7%)、这是不常见的吗? 电路输出端的负载电阻为50和500欧姆、最坏的情况是50欧姆电阻。
谢谢!
Daria
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尊敬的 Daria:
当电流释放 p-mosfet 与 XTR111没有充分热隔离、并开始不间断地使 XTR111升温时、就会发生这种情况。 此外、允许在印刷电路板上使用足够大的"铜"正确冷却 p-MOSFET。 请记住、P-MOSFET 需要在 PCB 的焊接侧有一个局部隔离铜平面作为散热器。 此外、在 XTR111和 p-MOSFET 之间留出足够的距离。 。
显示了一个经过验证的良好布局示例。
凯
尊敬的 Daria:
我同意 Kai 的观点。 如果您想查看原理图和 PCB 板布局、请告知我们。
您可能还需要确保 XTR111的散热焊盘连接到 GND、 应将引线框芯片焊盘焊接到 PCB 上的散热焊盘上。
当发生高温问题时、P-FET 晶体管的散热器通常是主要问题。 电流输出的主要功率耗散部分位于外部 FET 中。 务必考虑外部 FET 的功耗、这是电源电压和电流输出范围的函数。
请在设计中包含适用于 FET 的散热器。 例如、XTR111-2EVM 在 SOT23-3封装上组装有 ZXMP6A13FTA P-Channer MOSFET。 如果您参阅 XTR111EVM 用户指南第7页上的 XTR111电路板布局布线、应将 P-FET 的漏极(PIN2、引脚4散热器)连接到 顶部的一个隔离式铜填充、并连接到底部的另一个隔离式铜填充以实现散热。
谢谢、此致、
路易斯
尊敬的 Daria:
客户从电路中脱焊了双极晶体管,这产生了很大的影响。 现在 它们的测量误差小于1%。[/报价]这将敲响您的警钟:在非常高的温度下、每个晶体管的基极发射极电压从0.6V 降至0.4V 甚至更低。 请参阅 MMBT5087的数据表。 因此、在大约20mA 的输出电流下、双极晶体管错误地部分导通(R4上的压降= 15R!) 并产生误差。
但这里双极晶体管不是问题、而是电路冷却不当。 我认为您必须大幅改善印刷电路板的冷却情况。
您可以显示布局吗?
请记住、双极晶体管是作为短路保护的一部分邻接的。 如果没有这个双极晶体管、XTR111将是您的电路中发生故障的下一个因素。
凯
尊敬的 Daria:
如您所述、器件工作范围为-40°C 至+125°C、需要使用数据表 典型值 这个温度范围内的量程误差大约为±0.1%。 但是、 XTR111电气特性表仅在–40°C 至+85°C 的有限温度范围内提供量程误差规格保证 无论如何、我同意 Kai 的观点、误差增益误差很大、可能是 由于 PCB 板上的外部 FET 过热而导致的、导致双极晶体管出现问题、从而降低双极晶体管发射极电压。
需要使用带有双极晶体管的 XTR111外部电流限制电路来保护器件免受数据表第13页上所述的故障情况的影响。
如果可能、请提供 PCB 电路板布局布线以供查看、还请包含包括元件容差的器件列表、以便我们可以提供建议。
谢谢、此致、
路易斯