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[参考译文] OPA657:OPA657如 TIA 输出噪声/振荡器

Guru**** 2524460 points
Other Parts Discussed in Thread: OPA657, OPA818

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1203828/opa657-opa657-as-tia-output-noise-osillates

器件型号:OPA657
主题中讨论的其他器件: OPA818

您好!

我要测试中所述的设计  

最终电路图如下:

而且 OP657的输出噪声很大。 最大 值约为40mVp-p (我使用了一根轴向电缆和100Ω Ω 隔离电阻器,波形与 ADC 输出的结果相同,因此是可信的)

我已确认所有电源、纹波/噪声均低于3-5mV。

然后、我移除了反馈电容器、但仍然保持不变。

然后我将增益电阻器更改为1k 和100k、结果如下:

1k - 0.5mVpp 相当好;

100k - 1.47mVpp  

400k - 9.6mVpp  

似乎在 OPA657的输入端上有一些电流噪声并进行放大。

我对环境有所怀疑、因此我还有  另一个 示波器通道 、使用相同的轴向电缆、除了靠近 PCBA (以下波形中为 NC)之外什么都没有连接。

我想这些尖峰来自环境。

但是降低尖峰、 TIA 的输出上似乎有一个正弦波形。

我进行了相位裕度仿真、并尝试了不同的反馈电容器、但结果无效。

有痕没有卖面具安装钢屏蔽壳,但我仍在等待交付.

在获得镀层零件之前、我还能尝试其他什么?

谢谢!

布局:

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    您好、Follin

    布局不理想:

    请参阅以下示例布局和本主题中提供的建议:

    https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1194027/lmh6629-high-speed-transimpedance-amplifier-for-single-photon-detection

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    尊敬的 Kai:

    我已经浏览了您提到的主题。

    我注意到有几个点我没有遵循:

    1.似乎我在输出层和内层上删除了太多的 GND 覆铜。  

    2.需要在 耦合 电容中添加更多的接地过孔。

    3.从 APD 连接器到运算放大器的走线长度很短。 这是因为四组相同电路之间的屏蔽迹线。 哪一项优势更大? 通常是否需要隔离? 我很想删除"隔离"屏蔽迹线,短所有的 APD 迹线,如果它的好处更多(更好的稳定性,抗干扰).

    4.在数据表上、RF 和 CF 放置在 TIA 下方、但在您的方案中、只需放置在 TIA 附近。

    您是否愿意再次检查一下、看看我是否漏掉了一些东西?

    我将详细的原理图和布局张贴在此处。

    TOP01

    INNER02 (GND)

    INNER03

    INNER04 (电源)

    INNER05 (GND)

    BOTTOM06

    总计:

    非常感谢。

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    您好、Follin

    还有一个非常大的问题:

    您迫切需要在最靠近 APD 连接器的引脚1的位置放置一个去耦电容器。 不仅是从引脚3到过长的 OPAMP 输入的连接、而且是从引脚1到信号接地的连接(通过去耦电容器)。

    顺便说一下:连接器意味着光电探测器未直接安装在 PCB 上? 他们是否看到任何电缆?? 但愿不是如此? 我真的不认为 OPA657在输入端接受任何布线。

    OPA657是一个解补偿1.6GHz 运算放大器。 您不能将此"野兽"视为标准低频 OPAMP。 它不原谅即使是最小的错误。 只有毫米和亚毫米级的连接长度才足够。 OPA657输入端上任何较长的布线都可能导致灾难性故障。

    凯  

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    尊敬的 Kai:

    APD 直接插入插座,但 APD 引脚的长度约为8mm。

    我修改了布局、使其更像您所做的那样。 并将重复从2-4层重新移动的铜、但保持第五层和底层 GND。

    还 将库仑电容器移动到 APD 的1引脚。  

       

    在第一个版本中、我没有 GND 覆铜、但只有用于镀层的红色迹线、以避免具有寄生电容器/泄漏电流-这似乎没有意义。 但我 在高精度 仪器的板上看到了很多相同的设计。

    我参考了数据表找到了另一个版本的 OPA818、但我也将该芯片移到了非常靠近 APD 引脚的位置。

    我能否请您的评论以确保我正确理解您的指南?

    非常感谢!

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    您好、Follin

    最后一张图片看起来不错。 去耦电容器已正确安装。 但反馈电阻器不是有点大吗? 它的软件包是什么? 1206? 它认为0603会更好。 最大为0805。

    APD 直接插入插槽,但 APD 引脚的长度将约为8mm。

    这听起来不错。

    3. APD 连接器到运算放大器之间的布线长度很短。 这是因为四组相同电路之间的屏蔽迹线。 哪一项优势更大? 通常是否需要隔离? 我很想去掉"隔离"屏蔽迹线以短接所有的 APD 迹线,如果它有更多的好处(更好的稳定性,抗干扰)。

    通过使用屏蔽走线或小型的本地接地层来在 HF 电路中提供真正的隔离是非常困难(无法读取)的。 引入太多的杂散电容和寄生电感会导致损害大于弊。

    通过使用(或更好的几个)实心和连续的接地平面、可以提供出色的屏蔽效果。 隔离式屏蔽布线或小型局部隔离式接地平面不会解决问题。

    Unknown 说:
    并且有没有销售面具的痕迹来安装钢屏蔽壳,但我仍在等待交付。

    添加钢屏蔽壳是一个好主意,可以进一步改善屏蔽或更好地说通道之间的通道分离不同的通道.

    如果您确实想增强不同通道之间的通道分离、请不要忘记改善电源电压去耦措施。 我会在每个电源电压引脚处将 RC 滤波器替换为 CRC 甚至 CLRC-PI 滤波器。 π 型滤波器甚至允许您在大多数情况下省略电源电压平面。

    还有一个问题:我认为您的某些组件太大。 我是指反馈电阻器和半个去耦电容器。 您使用哪种去耦电容器?

    [/quote]
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    还有一个问题:我认为您的某些组件太大。 我的意思是反馈电阻器和半个去耦电容

    -我使用了 Susumu  RG2012P-155-B-T5 ,它的0805封装。 我读取到一个使用0805的地方、它与0402/0603相比具有更小的端子寄生电容器、以避免带宽扩展。 是不是太大了? 随着距离的增加、这会对布局产生一定的影响。

    - 根据数据表的以下部分、我为 OPA657电源使用的电容是0402 220nF 和0805 10uF 的组合:

     

    0402 220nF X7R GRM155R71C224KA12D  

    0805 10uF X5R  GJ821BR61E106KE11L

    我还阅读了您发布的主题、最好使用两个相同的电容器、通常需要实际的测试。  去耦的事情 总是 会让我省略一点。

     

    通过使用屏蔽迹线或小型本地接地平面在 HF 电路中提供真正的隔离非常困难(无法读取)。

    走线为无阻焊层的铜制、可接触 两个屏蔽外壳。 这些 GND 覆铜在顶部和底部是相同的、并通过多个过孔连接。

     

    我标记了 OPA657/656版本的布局、希望可方便您 查阅。  (除了您提到的大型组件外、我会在必要时进行修改)。  

    一个:的问题是、K Ω 应该 将 GND 覆在顶层、并使铜走线暴露在接触镀层部分的位置;  

    或者只添加更多 GND 过孔以连接到具有较小 GND 覆铜区的去耦电容器、但使覆铜线迹看起来更加"独立"。 这是什么事?

    再次感谢!

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    您好、Follin

    -我用过苏木  RG2012P-155-B-T5 ,它的0805封装。 我读取到一个使用0805的地方、它与0402/0603相比具有更小的端子寄生电容器、以避免带宽扩展。 是不是太大了? 它会随着距离的增加而影响布局的位。

    好的、0805封装应该是反馈电阻器可接受的。

    您可能希望搜索专用的 HF-SMD 电阻器、这些电阻器指定了 HF 性能、您可以从中估算端到端子的寄生电容。 但是、您似乎已经选择了反馈电阻器和反馈电容器、从而使它们能够正确配合? 那么我不会更改任何内容。

    - 根据数据表的以下部分,我在 OPA657电源中使用的电容器是0402 220nF 和0805 10uF 的组合:

    数据表显示的是2001年的数据、数据表原理图显示了极化电容器、很可能是钽电容器。 在这种情况下、并联一个小陶瓷电容器是一个好主意、不仅因为钽可能会"巨大"并且无法处理 HF、而且因为钽电容器显示足够的 ESR 来避免这种可恶的"抗谐振"。 由于其 ESR 也允许在两个电容器之间存在位寄生电感、因此钽电容器也允许放置在远离陶瓷电容器较小电容器的位置。

    但是、如果您将两个不均匀的陶瓷电容器与极低的 ESR 并联安装、则应小心谨慎。 "抗共振"很可能会在那时发生、应采取一切手段避免。 我只会采用一个陶瓷高电容器、采用0805封装或更好的0603封装。 两个0805封装的密封会浪费大量电路板空间、并且可能会造成比良好更多的伤害。 但可以并联两个相同的0603电容器。

    我看到整个板都因为明显的"抗共振"而失败。 抗谐振是危险的、因为在抗谐振时、并联电路的阻抗变为非常高、就像在抗谐振频率上根本没有安装去耦电容一样。 如果 OPAMP 在抗谐振频率上有一个弱点、则很可能发生不稳定和振荡。

    通过在15R 串联滤波电阻器(R57)前面直接安装一个相同的电容器、可以非常轻松地构建 π 型滤波器。 我通常将这个铁氧体磁珠串联安装到滤波电阻器上:

    FBMH1608HM601

    那么您甚至可以稍微降低串联电阻器的值。 通常仍需要串联电阻以避免 LC 谐振。

    迹线为无阻焊层 的铜,可接触两个屏蔽盒。 这些 GND 覆铜器的顶部和底部相同、并通过多个过孔连接。

    如果它们连接到公共的实心和连续的接地层、则可以正常工作。

    一个重要的问题是,:我要 将接地倒在顶层,并露出铜迹线以接触层压板部件; 

    同样、如果它们连接到公共的实心和连续接地层、则没有问题。

    或者只需添加更多 GND 过孔连接到具有较小 GND 覆铜区的去耦电容器、但使覆铜线迹似乎更加"独立"。 这是合理的?

    接地越多、过孔越多越好。 在这样的 HF 电路中、没有"独立"的铜。 当您尝试将本地接地平面与公共实体和连续的接地平面隔离时、本地接地平面与公共接地平面的连接点会出现问题。 您将增加有害的寄生电感和有害的杂散电容、唯一的影响是局部接地平面和公共接地平面之间会产生共模噪声。 通过这个,你不再从实心接地平面的可怕的铸造效果,但局部接地平面成为天线,现在将共模噪声注入到其他地方接地平面。 最后、拥有实心接地平面的超积极效果将完全丧失。 你不再有适当的指尖,你的电路甚至会导致不稳定和振荡。

    如果您希望在触点之间实现真正的隔离、则必须使用完全独立的印刷电路板、完全独立的电源电压和完全独立的法拉第笼。 但是,当你在飞机上使用一个通用的印刷电路板为所有的触点,你绝对可以做的最好的是使用一个(更多) 常用的实心和连续的接地平面是实心的、以避免在实心接地平面中出现间隙、避免使用本地接地平面以及避免任何隔离的接地变压。 所有这一切将做更多的弊大于利。 最后、您可以为顶层上的每个 APD 信号路径安装单独的法拉第笼、并将它们与尽可能多的过孔连接到公共实心和连续接地层。

    另一个改善通道之间隔离(或增加通道隔离)的目的是在印刷电路板上使通道彼此稍微远离、以便通道之间存在更实心、更连续的屏蔽接地层。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kai:

    非常清楚! 谢谢!