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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1249529/tlv9052-input-impedance
大家好、
我的客户正在寻找 TLV9052的输入阻抗。 我们是否有 TLV9052的输入阻抗数据？
此致、
山本俊介
如图7-7所示、输入的行为与电阻不同。
您可以使用欧姆定律根据最大输入电压和输入偏置电流规格计算阻抗值、但该值对设计您的电路没有实际帮助。
您好、Yamamoto-San、
Clemens 正确、该阻抗值没有看上去那么有用。
一般来说、相对于系统阻抗、CMOS 输入阻抗将非常高。 例如、查看输入、TLV906x 的电阻超过了5Tera-Ohm。
对于大多数客户而言、可以说该阻抗本质上非常高。
GPAMP 放大器的 CMOS 输入阻抗的范围通常从数百千兆欧姆到几十兆欧姆不等。 有趣的是、该偏置电流主要由流经 ESD 二极管结构的泄漏电流而不是流入输入级晶体管的电流决定。
我发现从偏置电流变化(IIB 与 Vcm)或(IIB 与温度)的角度来考虑会更容易、但您当然也可以从输入阻抗变化的角度来考虑。
在这个主题中、我们使用前面提到的方程 Clemens 计算了 CMOS 放大器的输入阻抗。 TLV9064 输入阻抗
如果您有任何问题、敬请告知、
此致！
雅各布
大家好、Jacob—San、
感谢您回答这个问题。 尽管我单击了一次"solute"按钮、但我可以问您另一个问题。
我可以知道如何测量输入偏置电流吗？ 是否有测量电路？
问得好。 对于 CMOS 器件、输入偏置电流可能是一个具有挑战性的参数进行测量。
一些皮安表的温度低到足以提供 偏置电流的近似测量值。 一种昂贵但精确的 IIB 测量方法是在器件的输入端使用电表。
我们在实验中测量 IIB 的方法包括使用一个连接到 放大器输入端的小电容器、并依靠 IIB 为该电容器充电。 然后、我们在各个点对电容器电压进行采样、以解读电容器的电压。 然后、我们可以通过知道充电时间和电容器尺寸来计算 IIB 电流。
本 E2E 主题中提到了一种类似的方法： IIB 测量
一般来说、IIB 是客户需要测量的一个具有挑战性的特征。 如果客户希望测量此值、我建议使用 E2E 中标注的方法。
如果客户在测量此值时遇到问题、我建议他们参考数据表以了解典型和最大 IIB 值。
谢谢！
