[参考译文] TLV9064：放大器论坛

您好、Ivy。

感谢您分享客户问题和原理图。

 TLV9064上不应存在2.2mV 的输入失调电压、因为最大室温偏移为+-1.6mV、最大过温值为+-2.0mV

客户是否可以共享 R20、R19、R15、C5和 C4的元件值？

一般来说、器件会老化并 在规格方面发生变化、但这通常需要大量时间才能测量。  

如果客户能够验证这些值、我们就可以更好地了解导致这种响应的原因、

谢谢！

雅各布

R19和R20 49.9KΩ，0.1%；

R15和R16 10kΩ，0.1%；

C4和C5 μ F：1pF；μ F

您好、Ivy、

这些值是合理的、我理解应用。

受此行为影响的器件比例是多少？

板上的旧器件能够看到如此高的失调电压需要多长时间？

客户如何测量这些电压？ 我只想确保系统在出现电压读数时处于稳定状态。

谢谢！

雅各布

1、缺陷率0.5%；
2、组装后经过5个高低温循环(无电),每个循环125℃30分钟-->-40℃30分钟;
3.万用表测量的数据

您好！

感谢您提供有关测试的更多详细信息。 我们将进行一系列的内部 REST ,以评估是否可以在我们的末端观察到这种行为。

对器件进行温度循环可有效地对器件和塑封进行应力测试、从而改变输入失调电压等参数。 我们在温度周期测试中表征了这样的行为、但是所有这些测试都是在器件通电的情况下完成的。 数据表考虑了温度变化引起的参数变化、因此我仍在努力了解导致此问题的原因。

所用万用表的分辨率是多少？  

谢谢！

雅各布

在-40~125 5个周期内未充电 Δ t 后、将出现-40、0、25、65、85、 105 μ V℃温漂测试(此时上电)、每个温度点保持大约10分钟

万用表使用5.5位、

感谢您提供更多信息。

一些额外的 Vos 可通过对封装施加应力来引入。 您是否曾尝试过拆焊高 Vos 的器件、然后将其重新焊接到电路板上并测量 Vos？

有时、PCB 和封装之间的不同热膨胀系数可能会导致极端应力、从而改变器件的参数。

您能否用高 Vos 器件尝试该测试？ 我非常想看看这是否会改变 Vos 值。  

器件的电源电压是多少？ 这将告诉我您处于输入级晶体管的哪个区域。

谢谢！

雅各布

NG 切屑焊接回到原始位置,尝试后,输出仍超出(-5mV~5mV)范围;
芯片电源为5V；

Bao、您好！

感谢您耐心调试本案例。

感谢您提供的其他详细信息、这有助于我确认输入级所在的区域。

当您说"输出仍高于(-5mV ~5mV)"时、这是否说明了放大器的增益？

我能看到您最近的测试中节点(8、9、10)到接地电压吗？ 此外、您可以使用 DMM 在引脚9和10之间进行探测吗？ 我要确保 GND 漂移不是 Vos 读数中的一个因素。

我们目前正在最后进行测试、看看我们是否可以复制这样的任何行为。 这不是我们以前所见过的。

谢谢！

雅各布

引脚9和引脚10之间的压差为0.936mv、其余情况如图中所示

尊敬的 BAO：

感谢您的测量、此部件的工作方式符合预期。 Vos：936uV

当采用与这里相同的测量方式进行测量时、您是否有任何在输入之间表现出大于2mV Vos 的器件？

到目前为止、我们的测试无法复制您在本主题中之前的图片中报告的数字。

此致！

雅各布