[参考译文] INA190：瞬态保护

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：INA190

大家好、

数据表中具有如下所示的说明、但在 IN-和 GND 之间而非器件输入之间连接了单个瞬态吸收器。以下哪一项是正确的、即在 IN-和 GND 或器件输入之间连接单个瞬态电压抑制器？

"更为高效的封装解决方案是在器件的输入端之间使用单个瞬态吸收器和背对背二极管、如图43所示。"

您还可以澄清所附内容的问题吗？e2e.ti.com/.../ina190.pptx

此致、

高桥典之

0 admin 2 年多前

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嘿 Noriyuki、

数据表中的声明和图是正确的。但是、可以更清楚地看出、单个瞬态吸收器仅位于其中一个输入引脚上、而背对背二极管连接器件输入。

图43中显示的瞬态是一个双向瞬态吸收器(TVS 二极管)。也可以是单向的。例如 SMDJ30A。

2. 以下是背对背二极管封装示例(反向串联对)： SMS7621-006LF

3.为实际限制流入二极管的电流、Rprotect 电阻器应位于二极管的左侧(负载侧)。如果使用滤波电容器(它应该有助于稳定输入差分感测电压)、则应将该电容器放置在尽可能靠近器件输入引脚(二极管的右侧)的位置。

此致、

彼得

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