[参考译文] TLV3601：传播延迟和边沿速率

泰勒

感谢您的发帖。  您提出了一些有趣的问题。  我会尝试回答这些问题、如果需要更多信息、我们可以离线讨论。

我认为最好解释一下传播延迟变化的来源。  其中一些肯定与器件相关(过程变化)、但大部分传播延迟变化来自外部源。  如典型性能曲线所示、温度是一个重要因素。 曲线中还突出显示的另一个主要因素是过驱。  当我们提供传播延迟的最大值时、它处于非常具体的测试条件下、因此未能完整描述。  但是、它确实为客户提供了一种对不同器件进行基准测试的方法。  不确定如何解释不包含这些特定测试条件的最小值、但通常我们没有这么做。

至于随时间变化的情况、当我们运行资质审核时、我们会检查器件从 t=0时间到 t-final 时间的性能是否大幅变化。  我们没有看到性能发生显著变化。

Trise 和 Tfall、并且在很大程度上取决于容性负载。  旨在实现超快响应时间的设计人员知道要尽可能减小高速比较器输出和输入上的寄生电容。  我们的 TLV3601EVM 展示了一些可更大限度减小输入和输出端寄生电容的常见技术。

器件越快、传播分散就越小(过驱时的传播延迟变化)。  这就是为什么寻求最小分散的大多数客户都选择我们的 LVDS 输出器件的原因。   遗憾的是、生成恒定输出电压的增益控制放大器不够快、并且没有前视信号来针对放大率较低的输入信号发出警告。   

由于过驱分散是所有高速比较器的一个变量、我们看到客户使用双通道器件、因此一个通道可以具有低电压阈值、另一个通道可以具有更高的电压阈值。  这样他们就可以感知到传播延迟的增加是由较小的过驱引起的、还是物体离得很远。

我想我现在将在这里停下来、如果这有帮助、我们可以离线继续。  您的问题涉及的内容相当广泛、每个问题可能比我在这里提供的要多。

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