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[参考译文] INA186:关于 INA186

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: INA186, INA213
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1275059/ina186-about-ina186

器件型号:INA186
主题中讨论的其他器件: INA213

这是一个技术查询。

81523086855

案例号 CS2007888

德州仪器(TI)

技术支持

感谢您的帮助。 我叫 Nakano、来自 F-tech。

我正在使用贵公司的电流测量 IC (两种类型)、但我认为模型1更有可能发生故障。

模型1:INA186A2QDCKRQ1

模型2:INA213AIDCKR

我认为模型1具有较高的耐受电压(40V)、但是否有任何情况、它很容易被闪电、浪涌、外部噪声等损坏?

是否有其他类似的情况或问题?

如果数据表有任何差异、敬请告知。

谢谢你。

====================

深圳富泰克科技股份有限公司

工程部

中野伸宏

新潟市中央区南长田13-5

电话:025-286-6660

传真:025-286-6661

URL: https://www.ftech-net.co.jp

电子邮件: n.nakano@ftech-net.co.jp

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    您好、Nakano:  

    我将对此进行回顾、并很快做出响应。

    此致、

    彼得

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    您好、Nakano:

    没有任何放大器能够免受电压浪涌(无论是静电放电还是系统电气过载)造成的损坏。

    在直流方面、如前所述、INA186具有更高的 VCM 绝对最大额定值。

    如两个数据表(第6.2节)中的 ESD 额定值所示、INA186还具有3000V 的较大 HBM ESD 额定值。

    您可以通过任何机会提供基本原理图信息、因为这也会发挥重要作用。

    此致、

    彼得

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    你好,Peter。

    我认为它可能会被电压浪涌(静电放电)损坏。

    请让我来核对一下。

    每个 IC 的额定值如下。

    INA213 VCM:26V HBM ESD:4000V

    INA186 VCM:40V HBM ESD:±3000V (2级)

    我认为、与 INA213相比、INA186在 VCM 绝对最大额定值和 HBM ESD 额定值方面都具有更高的功能。 你怎么看?

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    嘿、Nakano、

    任何超出器件额定值的 ESD 都可能会损坏器件。  

    与 INA213A (2kV)相比、INA186具有更高的 ESD 额定值、但与 INA213B 和 INA213C (3.5kV)相比。 有关额定值和测试条件、请参阅数据表。

    INA213的 B 和 C 版本具有不同的内部 ESD 架构、能够针对快速电压瞬变提供更好的保护。

    所有这些都需要在系统的背景下加以理解。 虽然 ESD 额定值越高意味着在处理器件时能够得到更好的保护、但如果系统电压浪涌超过26V、那么 INA186的 Vcm 额定值越高可能更可取。

    INA186的另一个优点是可以使用更高的输入电阻器(高达1kOhm)、从而进一步保护输入 ESD 单元免受 ESD 或系统电压浪涌的影响。

    下面是一些有用的文献:

    https://www.ti.com/lit/ug/tidu473/tidu473.pdf?ts = 1696189719637&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    https://www.ti.com/lit/an/sboa343a/sboa343a.pdf?ts = 1696189790447和 ref_url=https%253A%252F%252Fwww.google.com%252F

    此致、

    彼得