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[参考译文] OPA855:串联直流阻断电容器是否会添加到光电二极管 TIA 应用的输入电容?

Guru**** 2390270 points
Other Parts Discussed in Thread: OPA855
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https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1292249/opa855-does-a-series-dc-blocking-capacitor-add-to-input-capacitance-for-a-photodiode-tia-application

器件型号:OPA855

参考图10-8、10-9和1-10 (OPA855数据表的第26-27页)。 增加 C_D 会导致带宽减小。  

我的应用包括反向偏置光电二极管、它在光电二极管阳极和 OPA855输入之间具有 RC HPF (2400pF 系列、分流10k Ω)(请参阅下面的粗略原理图)。

我的问题:

-包括2400pF 电容器是否会降低带宽,如图10-8至10-10中所述?

-如果是这样,应该如何最大限度地增加带宽,同时阻断直流?  

-在像这样的光电二极管应用中阻止直流不重要吗?

   

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    否、阻断电容器不会添加到检测器和运算放大器输入的分流器 C 中。 您要做什么、您的检测器 C 以及所需的增益和 BW 是什么

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    检测器电容为1.8pF。 所需带宽为500MHz。 增益此处设置为1k V/A (1k 反馈电阻器)。 计算得出的反馈电容器为0.3pF、因此我将其完全省略、希望寄生效应占主导地位。  

    光电二极管接收 通过高达500MHz 的射频信号进行调制的反射激光。

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    您可以获得稍高一些的增益、具有0.3pF 反馈的1.2k Ω 电阻可提供640Mhz 的 F-3dB、因此通过500MHz 非常平坦。  

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    这是合理的、基于数学原理-我担心寄生电容会高于0.3pF、因此我最终会受到限制。 我计划在拥有电路板后调整无源器件值。  

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    典型的表面贴装厚膜 R 约为0.18pF 寄生电容。 串联块电容器需要以非常高的 F 自谐振。