[参考译文] XTR111：xtr111外部 MOSFET Vgs 值选择。 栅极和输入电容。

±Ω 高电子、

在需要20mA 输出时、1.1kΩ 的负载电阻对于24V 电源 XTR111的运行来说过高。 考虑串联电阻和所需的外部晶体管  VSD 压降时、 这种情况所剩的电压远低于 XTR111运行所需的2V 合规性。  T

XTR111数据表提到了顺从范围限制在2V (+VVSP - 2V)。  然后、除了满足此2V 电压要求外、我们还需要考虑外部晶体管 VDS (漏源极)压降以及电流环路信号路径中的任何其他串联压降：

上面的电路在源极 上有一个15欧姆的串联电阻器、在漏极上有一个15欧姆的电阻器、增加了额外的0.6压降。 此外、在标准 XTR111电流变送器应用中、导线或电缆的长度会增加串联电阻。  

因此、负载电阻器上支持的最大电压将需要小于：

VLOAD < 24V -(2V + 15Ω VSD+(V++ 15Ω Rseries)* ILOAD)  

因此、负载电阻器上支持的最大电压大约为~21V、具体取决于导线的长度(串联导线电阻)以及 保持电路线性运行所需的 VSD 外部晶体管压降。  假设导线电阻较低、支持的最大负载小于~Ω 1.050kΩ。

XTR111将调制栅极电压、直到达到目标电流。   驱动栅极的 XTR111电路被钳位、因此它不会驱动低于电源轨18V 以上的栅极。  Si3459BDV 外部晶体管可以承受 ±20V 的最大 VSG 电压而不会损坏、因此 XTR111不会损坏 FET。 此外、如数据表第13页所述、带有 PNP 双极晶体管和15Ω 串联电阻的外部钳位电路/外部电流限制电路将在发生快速高电流瞬态时钳位 VGS 晶体管电压、此时负载在故障期间意外断开/连接。   

XTR111于2006年上市、遗憾的是、没有官方发布的 XTR111 TINA-TI 或 XTR111 PSPICE 模型。  上面显示的仿真只是一个仿真 XTR111理想传递函数的简化电路。  上述仿真不包含 XTR111的输入/输出电压和电流限制、直流误差、也不包含其频率响应。

在上面的电路中、没有足够的 Vsd 压降余量来保持电路在线性运行、并且 XTR111将超出线性范围、因为它需要 VSP 电源提供2V 的顺从电压。  如果您需要通过20mA 的输出电流支持1.1KΩ Ω 负载、请将电源增加到 VSP >~Ω+24.7V。

谢谢、此致、

路易斯