[参考译文] XTR111：输出 TR 或 FET 选择

尊敬的 Lillian：

数据表为 FET 提供了一些建议：

数据表还建议 Q2使用2907类型的 PNP；以下是示例：

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/pn2907-d.pdf

如果您将电路原理图、测得的电压和电流发布后、便可以查看是否有任何问题。

此致、
迈克

尊敬的 Mike：

感谢您的回复！

我们已经看到了 d/s 中的建议、但是您能帮助检查 FET 的哪个规格将影响精度以及如何影响？ 您能帮助解释更多这方面的内容吗？

谢谢

利利连

晶体管的选择对精度没有影响。 XTR111会调节 VG 引脚上的电压、以确保流出 IS 引脚的电流正确。

如果您看到误差、则表示误差是由 XTR111的 RSET 测量或电流镜引起的。 (如果误差一致、您可能能够调整 RSET。)

尊敬的 Lillian：

同意 Clemens 的说法。  此处采用 XTR111方法的好处是、它会控制栅极电压以调节电流。  如果 FET 需要 -1V 的 VGS 电压来导通1 mA、则放大器强制在 FET 上产生-1V VGS。  如果1 mA 需要-1.2V 的电压、则放大器将强制栅极电压、以实现-1.2V VGS。   

我不认为精度问题与 FET 有关、除非 FET 以某种方式被强制进入三极管模式、或者电路不在正常线性状态下运行。  您是否有关于有问题条件下的电压的更多数据？  理想情况下、如果我们能够获得 FET 上的所有电压(栅极、漏极、源极)、XTR111引脚2上的电压 以及电源和输出电压、这将有助于解决问题。

此致、
迈克

您好，Mike，ö m

我们认为晶体管对精度很重要的原因是、未安装 Q2时、电流输出的精度将会提高。

有关详细信息、请参阅表。

谢谢

利利连

尊敬的 Lillian：

"我知道,我不会骗你的。"  可能存在通过 Q2的泄漏、根据 MOS 阈值、泄漏可能更高或更低。   将从负载处的输出电流中减去流经 Q2的电流、这意味着总负载电流将降低。 您能否确认对于所有 FET、当移除 Q2时、不存在精度问题？

您还能否 在上述情况下展示 MOSFET 的源极、栅极和漏极的直流电压？

此致、
迈克