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[参考译文] TL052:TL052IDR 两个装配位置的不同性能

Guru**** 2502205 points
Other Parts Discussed in Thread: TL072H, TL052

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1400659/tl052-the-different-performance-of-two-assembly-location-for-tl052idr

器件型号:TL052
Thread 中讨论的其他器件:TL072H

工具与软件:

你(们)好

这是施耐德中国的销量、我的客户收到了来自墨西哥和马来西亚组装地点的两批 TL052IDR。

问题是他们测试了他们的主板,发现功耗为16*TL052IDR 250mA 位于墨西哥组装地、但总功耗 为16*TL052IDR 187mA 来自马来西亚组装厂。

因此他们想知道墨西哥和马来西亚的组装地点之间是否有一些不同的影响。 附件是标签。

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    RFB 晶圆厂的器件实际上不同;请参阅 PCN# 20221216011.1。 保证的数据表限值未更改、但新芯片具有与 CMOS TL072H 器件相似的典型特性。

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    典型特性如何影响性能、就像上述功耗一样?

    而且当 PCN 发生变化时、性能已经得到确认。

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    您好、Yang、

    与 CMOS TL072H 器件类似。

    而不是 TL072H 器件。  

    根据 TL052数据表、典型电流为4.6mA。  根据 TL052、降低的电流为(250mA - 187mA)= 63mA 或4mA。  PCN 改变实际上使典型电流降低了类似的值。 数据表中没有 ICC 最低限制。  

    其他奖金是 VOL、VOH、IIB 改善。 压摆率可能更快或更慢、具体取决于信号电平和电路 增益。 在当前数据表的限制内实现所有性能。