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[参考译文] LM5121:Cbst 问题

Guru**** 2382660 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5121
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1413614/lm5121-cbst-question

器件型号:LM5121

工具与软件:

尊敬的团队:

客户将 LM5121用于不同 功率的应用、但在设计期间会遇到引导选通电容器的问题。

在 LM5121 EVM 中、我们使用 PSMN4R0-40YS MOSFET、总栅极电荷(Qg (tot))高达31nC。

根据数据表 公式33、该 HS FET 的 Cbst 需要为206.7nF~253nF。 但在 EVM 中、我们放置了0.1uF、这是数据表中无效的。

我的问题是:

数据表中的 Qg 是否仅表示 Qg_total 或 Qgs?

此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Ben:

    感谢您对 LM5121的支持。

    您必须使用总栅极电荷进行此计算。

    如说明所述:

    "Δ V 是 CBST 上的可耐受压降、ΔVBST 小于 VCC 的5%或保守地为0.15V"

    在本例中、使用的不是保守的0.15V、而是 VCC 的较小5%。  (VCC = 8.3V、这意味着 3.45V 更小)。

    此致、

     Stefan