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器件型号:LM5121 工具与软件:
尊敬的团队:
客户将 LM5121用于不同 功率的应用、但在设计期间会遇到引导选通电容器的问题。
在 LM5121 EVM 中、我们使用 PSMN4R0-40YS MOSFET、总栅极电荷(Qg (tot))高达31nC。
根据数据表 公式33、该 HS FET 的 Cbst 需要为206.7nF~253nF。 但在 EVM 中、我们放置了0.1uF、这是数据表中无效的。
我的问题是:
数据表中的 Qg 是否仅表示 Qg_total 或 Qgs?
此致、
本