[参考译文] OPA2187：50℃ 处的 Ibias 失调电压容差

Tomo、

1. 我们在50°C 处没有 IB 的测量直方图。
2. 可以根据室温限值计算此值。  输入偏置电流实际上是输入 ESD 二极管的泄漏电流。  二极管泄漏具有已知的关系。  温度每升高一个10°C、它就会增加2倍。  因此、可以使用以下关系计算偏置电流： IB (T)= IB (125°C)/2^[(125°C - T)/10]。  文件夹  优化斩波放大器精度 更详细地介绍了这一点、还提供了100°C 的计算示例。  您可以使用这种基于典型或最大限值的关系来估算任何温度下的限值。
3. 请注意将 IB 用作斩波放大器的误差源。  斩波放大器具有直流 IB 和瞬态 IB。  DC IB 一般很低,与大多数 CMOS 器件一样(在皮安级)。  瞬态 IB 可能很大(以微安为单位)。  数据表中指定的 IB 是直流 IB。  瞬态 IB 具有非常窄的瞬态尖峰(请参阅  上面链接的斩波器文档中的图3-5)。  当这些瞬态与源阻抗或反馈阻抗相互作用时、它们会产生瞬态电压。  瞬态电压可以视为噪声源、但也会引入偏置电流输入失调电压(请参阅文档中的第5节)。  瞬态引入的误差通常大于直流偏置电流产生的误差。 例外情况 是温度较高时、其中直流 IB 可能很大(接近纳安)。  
4. 要最大程度地减小斩波放大器中直流偏置电流和偏置电流瞬态导致的误差、最好的方法是将源阻抗限制为表5-1中所述的可接受最大源阻抗。

此致、艺术

再加上 Art 的注释、温度高达大约80摄氏度、前端开关斩波操作的电流在总 IB 中占主导地位 、而 ESD 二极管的反向偏置泄漏电流在85摄氏度以上成为 IB 的主要来源。 因此、在50摄氏度下、IB 分布与其室温分布类似、基于+/-350pA 的最大 IB 可由以下直方图表示。  

尊敬的 Ark、Marek、

感谢您的答复。
对于电路设计非常有帮助。

我感谢您的亲切支持！

此致、

秋山知夫