[参考译文] LMH6654：用于研究目的的内部设计信息

你好 Raffaele Gaudio、

  感谢您联系我们。 您需要了解哪种类型的内部设计问题？ 根据问题、如果不限制设计信息、我们可能能够提供帮助。

  例如、您是否在寻找有关放大器内部特定块的特定过程问题或一般问题。 您是否正在从第二部分尝试在特定仿真软件工作中重新创建 LMH6654作为模型？ 如果是这种情况、则 我们提供的 LMH6654 PSpice 模型未加密、您可以复制该模型的注释部分中的网表、其中指出：

注释：
* 1. 模型特性包括输出摆幅、流经的输出电流
*电源轨、增益和相位、压摆率、共模
*抑制与频率效应,电源抑制
*在两个电源轨上都存在频率效应、输入电压噪声
*带1/F,输入电流噪声带1/F,静态
*电流随电源电压的变化。 MODEL PERFORMANCE
*根据数据表、电源电压仅略有变化。

* 2. 模型温度范围为-55°C 至+125°C

* 3. 模型在该范围内可正常工作、但并非所有
*参数跟踪实部的参数。

  如果您要仿真温度影响、则在数据表中、我们将提供 RθJA (结至环境热阻)。 如果需要更多信息、例如 Theta JB、JC 和 JT、我们也可以提供这些值。  

此致、

SIMA

您好、Sima、

非常感谢您的答复。

为了澄清我的要求、LMH6654是在低温(约87 K)下工作的放大回路的一部分。 在我正在开发的模型中、我从一开始就考虑了载流子移动性、捐赠者浓度和传导通道的物理参数等因素、纳入了 JFET 等某些元件的温度依赖性。

我正在使用我专门为此项目开发的基于 Python 的定制仿真框架、并旨在将此方法扩展到 LMH6654、以确保低温条件下建模的一致性。

鉴于这些考虑因素、我非常感谢您提供有关如何使用您可以提供的信息的指导。 您是否建议使用未加密的 PSpice 模型进行工作、或者是否可以获得与低温性能相关的内部结构或工艺参数的更多详细信息？

再次感谢您的支持和帮助。

此致、
Raffaele Gaudio

尊敬的  Raffaele：

 感谢您提供更多详细信息。 该器件 基于 TI 的高级 VIP10 (垂直集成 PNP) 互补双极工艺而构建、该工艺主要使用 BJT：NPN、PNP。 这是我们讨论此过程详细信息的公开信息： https://www.ti.com/lit/wp/snoa843/snoa843.pdf? 其中 给出了 用于该器件的晶体管的一些详细信息。  

  PSpice 模型网表还有其他值、例如 NPN/PNP 晶体管的最大 β、电阻、电流。  

  我不确定我们能否分享晶体管热阻率的细节、而且很可能会使用典型的热导率。 但是、我们不销售裸片式器件；因此、您在封装形式(SOT-23或 SOIC-D、无论您最终为您的系统使用哪种)的器件热组件模型、可能更有用。 如果在此情况下建模、我们能够提供这些值、例如 SOT-23封装、  

  对于 LMH6654MF/NOPB、热特性如下：

  
  有关 半导体和 IC 封装热指标的更多信息、请查看此页面。 如果您对上述信息有任何问题或说明、请告诉我。

此致、

SIMA