工具与软件:
从所有有关所用输入级配置的信息来看、我假设:
1.它是互补的 PMOS+NMOS 差分级、在共模电压范围内偏置电流转换有些苛刻
2.它包含从每个输入端到 V+或 V-的 ESD 二极管
3.由于没有输入差分保护二极管,我认为栅极氧化物必须仍然由特殊电路进行内部保护
4.这个特殊电路用来去耦每个 PMOS 或 NMOS 差分对的源、这样 Vgs 不是完全电源
最后一个问题是、我假设具有 ESD 二极管的互补 PMOS+NMOS 差分级仍具有非常高的差分输入阻抗、但不是100M Ω。 100M Ω 是拼写错误还是此特殊电路的结果? 在闭环运行中、差分电压很小、而100M Ω 也会产生 PA 或更小电流。 但 对于36V、则显著为360nA。 请说明。
