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[参考译文] JFE2140：高 ID 时的电压噪声

admin
Guru**** 2390755 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1477935/jfe2140-voltage-noise-at-high-ids

器件型号：JFE2140

工具与软件：

大家好、我在数据表中看到、该器件在5mA 的漏极电流下实现了0.9nV/rtHz 的宽带输入电压噪声。

当看到此器件的 IDD 在至少10mA 处附近较大时、我想知道 为什么在较高漏极电流下运行会 像图6-16所示那样降低该噪声值？

此外、我想知道在高于100kHz (高达数十兆赫兹)的频率下、噪声是否保持相对平坦？

感谢您的帮助

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nathan、

    1. 一般来说、当电流较高时、运算放大器、双极晶体管、JFET 晶体管和 CMOS 晶体管的噪声较低。  基本上、噪声是功耗的一种折衷。  下面这篇文章涵盖了这背后的理论。  查看图7.17来了解 FET 晶体管的关系。
    2. 噪声的平坦区域称为宽带区域。  该区域将保持平坦、直到达到放大器(在本例中为晶体管)的带宽限制。
    3. 我们提供了运算放大器噪声视频系列、其中涵盖了其中的一些主题(  第一部分 )。  另外  分析-设计-模拟-集成电路 , 运算放大器噪声:分析和降低噪声的技术和提示 和  低噪声电子系统设计 Motchenbacher 更详细地介绍了该主题。

    e2e.ti.com/.../3817.article14_2D00_noise7_2D00_noise-inside-the-amplifier_2D00_Oct-2007.pdf

    此致、艺术

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    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨艺术,道歉我做了一个排版. 我打算在图6-16中说明噪声实际情况 而增加 这对我来说似乎与5mA 不符。 你对此有什么直觉吗？

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    尊敬的 Nathan：  

    芯片的温度随着 IDS 的升高而升高、因此您观察到的拐点处的热噪声会增加。 将漏源通道视为一个电阻器。 随着温度升高、电阻器的热噪声会随着约翰逊-奈奎斯特理论的发展而升高。

    我希望这有助于澄清。

    此致、  
    Chris Featherstone

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    TI__Guru**** 2390755 points
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    啊、这是有道理的！

    谢谢 Chris