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[参考译文] MSPM0G3506:使用外部低频晶体

Guru**** 2386600 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1515468/mspm0g3506-use-of-external-lf-crystal

器件型号:MSPM0G3506

工具/软件:

您好:  

我们将 在其中一个应用中使用 MSPM0G3506SPTR MCU。为避免使用外部低频晶体、仅使用高频晶体。 应用工作温度范围为-10°C 至65°C。 使用 RS485通信。 MCU 用于监测少量模拟和数字信号并根据应用用例提供数字输出。  

在这种情况下、请告诉我是否可以避免使用外部低频晶体?

如果将其删除、将会面临哪些挑战?

在这种情况下、需要外部 LF 晶体。

谢谢

此致

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    您好、

    这取决于您用于 UART (RS485)模块的时钟源。 如果您使用高频晶体作为 UART 模块的时钟源、 那么我这边就没有风险了。  

    但是、如果您使用内部 LFOSC (约32.768k)作为 UART 时钟源、我建议您改用 LFXT。  

    此致、

    现金好

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    您好、

    MSPM0G350x 中具有内部高频和低频内部振荡器。 如果外部低频晶体不存在、则在低功耗模式 RTC 的情况下、可以使用内部 LFOSC 作为时钟源。

    请参阅内部 LFOSC 的以下规格、仅当您需要低频时钟的精度或热性能比功能吹扫更好时、才需要外部低频晶体。

      

    此致、

    Pengfei

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    您好:

    感谢您的快速响应。

    您能否以需要高精度低频时钟源的几个应用用例为例来说明一下。

    此致