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[参考译文] AM2631:AM263硬件设计:AC PDN Z TARGET

Guru**** 2384970 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target

器件型号:AM2631

工具/软件:

尊敬的团队:

1.2V 核心电源,以三种工作模式表示,交流电压容差一致1.2*2.5%=30mV ,由于电流大小不同,产生的 Ztarget 不同。

Q1.三种工作模式 Fmax 的 PDN 控制频率来源是什么?

问题2: 三种不同的运行模式 Ztarget 在数字上、基线1频率(≤200MHz)和阻抗范围(≤12mΩ)涵盖了其余的两种运行模式、是否直接根据基线1标准控制 PDN 阻抗?

3.根据图2-13中的 PDN 仿真结果、请参阅:

问题3.1:正式版本的 PDN 阻抗在200米内不符合低于12mΩ 的标准?

Q3.2:几个不同的 PDN 曲线通过改变去耦电容来降低反谐振点、是否有必要在实际设计中优化建议的去耦电容器配置?

Q3.3:为什么 Ztarget 设置在这里36mΩ?

问题3.4:尽管 Ztarget 放宽到36mΩ、但仍会超过低频段和高频段的阻抗?

问题4 请提供1.2V 核电的具体控制标准、频率范围和 Ztarget。

Q5:3.3V 电源电流很小、PDN 阻抗标准不太严格、但我们的设计没有区分数字电源和模拟电源、而是直接结合。 故障提供 PDN 阻抗控制标准、频率范围和 Ztarget 的组合

请参阅https://www.ti.com/lit/an/sprabj8c/sprabj8c.pdf?ts = 1744970596215

此致、

Zane

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的团队:

    请您就此提供帮助。 谢谢!

    此致、

    Zane

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Zane:

    很抱歉耽误你的时间。 请在下面找到我的回答

    [引述 userid="571998" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target

    Q1.三种工作模式 Fmax 的 PDN 控制频率来源是什么?

    [/报价]

    我将联系我们的专家、了解有关这方面的详细信息

    [quote userid="571998" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target 三种不同的运行模式 Ztarget 在数字上、基线1频率(≤200MHz)和阻抗范围(≤12mΩ)涵盖了其余的两种运行模式、是直接根据基线1标准控制 PDN 阻抗吗?

    抱歉,我不确定我是否理解正确。 但是、如果您指的是3种不同的瞬态情况、则三种瞬态情况如下所示

    VDD 基线1 -这是一个非常悲观的瞬态模型、它假定功耗从零变为最大。 这不是一种现实可行的情况、因此未予考虑。

    VDD XTAL_PLL1 -这是时钟源从 XTAL (25MHz)更改为 PLL (400MHz)的真实情况。

    VDD WFI1 -这是另一种现实的场景、其中4个 R5F 内核退出等待中断状态。

    在上面的中、选择了第二个、因为这是功耗最高的实际用例。

    [引述 userid="571998" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target

    问题3.1:正式版本的 PDN 阻抗在200米内不符合低于12mΩ 的标准?

    Q3.2:几个不同的 PDN 曲线通过改变去耦电容来降低反谐振点、是否有必要在实际设计中优化建议的去耦电容器配置?

    Q3.3:为什么 Ztarget 设置在这里36mΩ?

    [/报价]

    如前所述  、这里考虑了 VDD XTAL_PLL1瞬态、因为这是 功耗最高的实际用例。 因此、针对36mΩ 制定了目标。

    [引述 userid="571998" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target

    问题3.4:尽管 Ztarget 放宽到36mΩ、但仍会超过低频段和高频段的阻抗?

    [/报价]

    较低的频带不是太大的问题、因为降压工作频率将适应并考虑电压变化。

    较高的频带(约50 -80MHz 或更高)在 PCB 上不可优化、必须在封装上进行优化。

    [引述 userid="571998" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target

    问题4 请提供1.2V 核电的具体控制标准、频率范围和 Ztarget。

    [/报价]

    我们 根据  VDD  XTAL_PLL1瞬态 用例建议相同的36mΩ 目标。

    [引用 userid="571998" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target ]Q5:3.3V 电源电流很小、PDN 阻抗标准不太严格、但我们的设计不区分数字电源和模拟电源、而是直接将其结合使用。 故障提供组合的 PDN 阻抗控制标准、频率范围和 Ztarget

    您能详细说明一下吗?

    谢谢、

    Tejas Kulakarni

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    [报价 userid="534589" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1504284/am2631-am263-hardware-design-ac-pdn-z-target/5787073 #5787073"]
    Q5:3.3V 电源电流很小、PDN 阻抗标准不太严格、但我们的设计没有区分数字电源和模拟电源、而是直接结合。 故障提供 PDN 阻抗控制标准、频率范围和 Ztarget 的组合

    您能详细说明一下吗?

    [/报价]

    尊敬的 Tejas:

    非常感谢您的详细答复! 我们已经在团队内成功解决了合并3.3V 模拟和数字电源的问题。 但是、人们出现了一个关于 3.3V 电源的 PDN 阻抗的新问题。

    在仿真过程中、我观察到、通过按照去耦电容器的环路电感值从最高到最低顺序移除去耦电容器、即使3.3V 电源的电流需求相对较低、也只需一个电容器即可将 PDN 阻抗保持在指定限值范围内(而不超过目标阻抗)。 这个结论正确吗?

    我感谢任何见解或建议!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jiang:

    按照其环路电感值从最高到低的顺序移除去耦电容器

    是的、这是处理此解决方案的正确方法、但它在很大程度上取决于该特定电路板的堆叠、层布局、多边形覆铜或电源平面。 AM26x 硬件设计指南中提供的示例来自我们的 EVM 设计。

    因此、我无法评论仅一个电容器是否足够。 如果您对仿真设置有信心、并且结果与所需的目标阻抗一致、我认为这应该足够好。

    谢谢、
    Tejas Kulakarni